[实用新型]一种适用于硅片和硅锭的电导率测试仪有效

专利信息
申请号: 202122580909.7 申请日: 2021-10-26
公开(公告)号: CN216525567U 公开(公告)日: 2022-05-13
发明(设计)人: 党小锋;刘全义;张月兰 申请(专利权)人: 九域半导体科技(苏州)有限公司
主分类号: G01N27/04 分类号: G01N27/04;G01B11/06;G01R27/02;G01R1/04
代理公司: 苏州汇德卓越专利代理事务所(普通合伙) 32496 代理人: 王佳鑫
地址: 215000 江苏省苏州市工业园区*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 适用于 硅片 电导率 测试仪
【说明书】:

实用新型公开了一种适用于硅片和硅锭的电导率测试仪,属于半导体材料性能参数测试技术领域,包括基板、工作台和龙门框架,在龙门框架上设有升降气缸,在活塞杆的端部分别设有第一电磁测试探头和激光位移传感器;工作台设于基板上方,工作台的上表面中心位置处开设有凹槽,在凹槽内设有第二电磁测试探头;第一电磁测试探头位于第二电磁测试探头的正上方,第一电磁测试探头内设有主动线圈和上被动线圈,主动线圈位于上被动线圈的正下方,第二电磁测试探头内设有下被动线圈。本实用新型的电导率测试仪可自动判定待测样品为硅片或硅锭,并分别在不同的工作模式下进行电导率测试,测试功能多,同时测试精确度高,操作使用方便。

技术领域

本实用新型属于半导体材料性能参数测试技术领域,具体涉及一种适用于硅片和硅锭的电导率测试仪。

背景技术

在半导体材料生产过程中,终端产品的性能依赖于半导体材料的性能,为了确保测量过程的动作不影响终端产品的品质,半导体材料性能的测量大多采用非接触测量方法,非接触测量方法是非破坏性的,不会对半导体材料引入新的缺陷,大大提高了产品的成品率。非接触测量方法从测量原理上可以分为电磁感应法、静电感应法和微波法等,非接触测量方法可测量得到的参数包括半导体材料的电导率、迁移率、载流子浓度和寿命等。

其中,半导体材料的电导率是半导体材料的一项基本参数,通常采用电磁感应法来测量,在电磁线圈中导入特定频率的交变电流时,电磁线圈产生磁场,磁力线穿过硅片或硅锭时,会在半导体材料的表面感应出漩涡状电流,此电流即为涡流,半导体材料中的涡流又产生自己的磁场反作用于电磁线圈产生的磁场,电磁线圈产生的磁场与涡流产生的磁场叠加,在测试电磁线圈中感应出相应的交变电流,通过测量此交变电流的大小即可测得半导体材料表面的电导率,在测试时,需要尽可能保证叠加磁场产生的磁力线完整地通过测试电磁线圈,减小漏磁,才能提高测量的准确度。对于硅片和硅锭这两种常用的两种半导体材料,硅片的厚度通常小于1mm,硅锭的厚度通常为10mm以上,在对硅片进行电导率测试时,应确保主动电磁线圈和被动电磁线圈尽可能靠近硅片上下表面,可以使得叠加磁场的磁力线完全通过被动电磁线圈,从而测试得到硅片的电导率;而对于硅锭,厚度较厚,无法实现在硅锭两侧分别放置主动电磁线圈和被动电磁线圈,并保证磁力线完全通过被动电磁线圈,因此不能使用测试硅片电导率的测试仪来测试硅锭的电导率。

现有技术中,在实际测试过程中,硅片和硅锭的厚度不是确定的,为了同时满足两种类型样品的测试,需要配置两台测试仪器,分别进行测量,因此操作十分不便。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种适用于硅片和硅锭的电导率测试仪,以解决背景技术中提出的技术问题。

为了实现上述目的,本实用新型公开了一种适用于硅片和硅锭的电导率测试仪,包括基板、工作台和龙门框架,龙门框架包括设于基板上方的立柱及设于立柱顶部的横梁;在立柱上设有显示屏,在横梁的侧面上设有升降气缸,升降气缸的活塞杆竖直设置,在活塞杆的端部分别设有第一电磁测试探头和激光位移传感器;工作台设于基板上方,且位于横梁的下方,工作台的上表面中心位置处开设有凹槽,在凹槽内设有第二电磁测试探头;第一电磁测试探头位于第二电磁测试探头的正上方,第一电磁测试探头内设有主动线圈和上被动线圈,主动线圈位于上被动线圈的正下方,第二电磁测试探头内设有下被动线圈;所述适用于硅片和硅锭的电导率测试仪还包括控制柜,控制柜分别与升降气缸、显示屏、第一电磁测试探头、第二电磁测试探头和激光位移传感器电气连接。

进一步地,在工作台的内部开设有L型折弯孔,L型折弯孔为通孔,L型折弯孔的一端位于工作台的上表面,另一端位于工作台的侧面,L型折弯孔为螺纹孔,L型折弯孔中位于工作台侧面的一端内部螺纹连接有气嘴,气嘴通过气管连接外部抽气机。

进一步地,所述L型折弯孔的数量为≧2,围绕工作台均匀分布。

进一步地,所述第一电磁测试探头内,主动线圈和上被动线圈之间的距离大于0且小于等于1mm。

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