[实用新型]一种适用于硅片和硅锭的电导率测试仪

权利要求书

1.一种适用于硅片和硅锭的电导率测试仪，其特征在于：包括基板、工作台和龙门框架，龙门框架包括设于基板上方的立柱及设于立柱顶部的横梁；在立柱上设有显示屏，在横梁的侧面上设有升降气缸，升降气缸的活塞杆竖直设置，在活塞杆的端部分别设有第一电磁测试探头和激光位移传感器；工作台设于基板上方，且位于横梁的下方，工作台的上表面中心位置处开设有凹槽，在凹槽内设有第二电磁测试探头；第一电磁测试探头位于第二电磁测试探头的正上方，第一电磁测试探头内设有主动线圈和上被动线圈，主动线圈位于上被动线圈的正下方，第二电磁测试探头内设有下被动线圈；所述适用于硅片和硅锭的电导率测试仪还包括控制柜，控制柜分别与升降气缸、显示屏、第一电磁测试探头、第二电磁测试探头和激光位移传感器电气连接。

2.如权利要求1所述的适用于硅片和硅锭的电导率测试仪，其特征在于：在工作台的内部开设有L型折弯孔，L型折弯孔为通孔，L型折弯孔的一端位于工作台的上表面，另一端位于工作台的侧面，L型折弯孔为螺纹孔，L型折弯孔中位于工作台侧面的一端内部螺纹连接有气嘴，气嘴通过气管连接外部抽气机。

3.如权利要求2所述的适用于硅片和硅锭的电导率测试仪，其特征在于：所述L型折弯孔的数量为≧2，围绕工作台均匀分布。

4.如权利要求1所述的适用于硅片和硅锭的电导率测试仪，其特征在于：所述第一电磁测试探头内，主动线圈和上被动线圈之间的距离大于0且小于等于1mm。

5.如权利要求1所述的适用于硅片和硅锭的电导率测试仪，其特征在于：所述第二电磁测试探头内的下被动线圈上表面与凹槽上表面之间的距离大于0且小于等于1mm。

6.如权利要求1所述的适用于硅片和硅锭的电导率测试仪，其特征在于：在基板下方设有支架，基板通过支架立于地面上。

7.如权利要求1所述的适用于硅片和硅锭的电导率测试仪，其特征在于：在活塞杆的端部设有安装板，第一电磁测试探头和激光位移传感器并排安装在安装板的下表面上。