[实用新型]一种单晶硅异质结太阳电池HWCVD设备载板有效
申请号: | 202122480376.5 | 申请日: | 2021-10-14 |
公开(公告)号: | CN215757608U | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
发明(设计)人: | 刘翠翠 | 申请(专利权)人: | 江西汉可泛半导体技术有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;H01L31/20;H01L21/673 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人: | 王焕巧 |
地址: | 332020 江西省*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种单晶硅异质结太阳电池HWCVD设备载板,包括田字型框架以及四个载板本体,四个所述载板本体呈矩阵阵列分布在田字型框架的内部,四个所述载板本体的顶部中心处均可拆卸设置有卡接盒,所述田字型框架内侧顶部以及中部均固定设有圆杆。本实用新型通过四个载板本体内部放入硅片后,将四个载板本体与田字型框架组装,两个弧形卡块对圆杆做限位处理,完成载板本体与田字型框架的组装,需要拆卸载板本体时,仅需按压按钮,即可取下,该载板由三层减少至二层,降低了自动化的复杂程度,且载板变小后,在冷热过程中的变形量小,延长载板寿命、降低故障率,而且可以对某个小载板进行单独更换,降低运营成本和提高生产效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 单晶硅 异质结 太阳电池 hwcvd 设备 | ||
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的