[实用新型]一种MEMS硅压阻式压力敏感芯片有效

专利信息
申请号: 202122473531.0 申请日: 2021-10-14
公开(公告)号: CN216433320U 公开(公告)日: 2022-05-03
发明(设计)人: 任强;朱丰;张琦;郑杨 申请(专利权)人: 浙江芯动科技有限公司
主分类号: G01L1/18 分类号: G01L1/18;F16F15/02;H05K7/20
代理公司: 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙) 33253 代理人: 熊亮亮
地址: 314001 浙江省嘉兴市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 实用新型公开了一种MEMS硅压阻式压力敏感芯片,涉及到压力敏感芯片技术领域,包括基板,所述基板的上方设置有硅片衬底,所述基板的上表面固定连接有封装环,且硅片衬底的底端位于封装环内部,所述封装环的内侧壁固定连接有第一散热膜,且硅片衬底的外侧壁与第一散热膜的内侧表面贴合,所述封装环的外侧壁固定连接有第二散热膜,所述封装环的内部贯穿设置有多个呈环形阵列分布的散热孔。本实用新型芯片工作时产生的热量会通过硅片衬底转移至第一散热膜内部,第一散热膜内部的热量被多个填充有导热硅脂的散热孔转移至第二散热膜内部,通过第二散热膜将热量散发至芯片外部,提高了散热效率,避免热量积聚影响芯片的正常工作。
搜索关键词: 一种 mems 硅压阻式 压力 敏感 芯片
【主权项】:
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