[实用新型]一种MEMS硅压阻式压力敏感芯片

说明书

本实用新型公开了一种MEMS硅压阻式压力敏感芯片，涉及到压力敏感芯片技术领域，包括基板，所述基板的上方设置有硅片衬底，所述基板的上表面固定连接有封装环，且硅片衬底的底端位于封装环内部，所述封装环的内侧壁固定连接有第一散热膜，且硅片衬底的外侧壁与第一散热膜的内侧表面贴合，所述封装环的外侧壁固定连接有第二散热膜，所述封装环的内部贯穿设置有多个呈环形阵列分布的散热孔。本实用新型芯片工作时产生的热量会通过硅片衬底转移至第一散热膜内部，第一散热膜内部的热量被多个填充有导热硅脂的散热孔转移至第二散热膜内部，通过第二散热膜将热量散发至芯片外部，提高了散热效率，避免热量积聚影响芯片的正常工作。

技术领域

本实用新型涉及压力敏感芯片技术领域，特别涉及一种MEMS硅压阻式压力敏感芯片。

背景技术

压阻式压力传感器是利用单晶硅的压阻效应而构成，采用单晶硅片为弹性元件，在单晶硅膜片上利用集成电路的工艺，在单晶硅的特定方向扩散一组等值电阻，并将电阻接成桥路，单晶硅片置于传感器腔内，当压力发生变化时，单晶硅产生应变，使直接扩散在上面的应变电阻产生与被测压力成正比的变化，再由桥式电路获相应的电压输出信号，压阻式传感器是用于这方面的较理想的传感器，现有的压力敏感芯片的散热效果不理想，导致热量积聚从而影响芯片的使用，因此，发明一种MEMS硅压阻式压力敏感芯片来解决上述问题很有必要。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种MEMS硅压阻式压力敏感芯片，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种MEMS硅压阻式压力敏感芯片，包括基板，所述基板的上方设置有硅片衬底，所述基板的上表面固定连接有封装环，且硅片衬底的底端位于封装环内部，所述封装环的内侧壁固定连接有第一散热膜，且硅片衬底的外侧壁与第一散热膜的内侧表面贴合，所述封装环的外侧壁固定连接有第二散热膜，所述封装环的内部贯穿设置有多个呈环形阵列分布的散热孔，且散热孔内部填充有导热硅脂，所述第一散热膜和第二散热膜均与导热硅脂贴合，所述硅片衬底的下表面固定连接有第一绝缘层。

优选的，所述基板的上表面固定连接有缓冲层，且缓冲层位于硅片衬底的正下方，所述第一散热膜的底端表面与缓冲层的上表面边缘处固定连接。

优选的，所述缓冲层的上表面与第一绝缘层的下表面固定连接，所述缓冲层的内部贯穿设置有多个呈椭圆形的缓冲腔。

优选的，所述硅片衬底的上方设置有硅薄膜电阻层，所述硅薄膜电阻层的上方设置有第二绝缘层。

优选的，所述封装环的上表面环绕设置有滑动密封垫，且滑动密封垫的内侧与硅片衬底的外侧壁表面贴合。

优选的，所述第一散热膜和第二散热膜设置为石墨烯散热膜，所述第一绝缘层和第二绝缘层设置为绝缘聚酯薄膜。

本实用新型的技术效果和优点：

1、本实用新型通过在封装环的内侧壁固定有第一散热膜，在封装环的外侧壁固定有第二散热膜，芯片工作时产生的热量会通过硅片衬底转移至第一散热膜内部，第一散热膜内部的热量被多个填充有导热硅脂的散热孔转移至第二散热膜内部，通过第二散热膜将热量散发至芯片外部，提高了散热效率，避免热量积聚影响芯片的正常工作；

2、本实用新型通过设置有缓冲层，缓冲层内部贯穿设置有多个缓冲腔，通过缓冲层和缓冲腔配合对芯片受到的压力进行缓冲，提高了芯片的使用寿命，通过设置有滑动密封垫，将硅片衬底与封装环之间的连接处密封，保证芯片的密封性。

附图说明

图1为本实用新型的整体结构剖面示意图。

图2为本实用新型的图1中A处结构放大示意图。

图3为本实用新型的整体结构立体示意图。