[实用新型]一种MEMS硅压阻式压力敏感芯片有效
| 申请号： | 202122473531.0 | 申请日： | 2021-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN216433320U | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 任强;朱丰;张琦;郑杨 | 申请（专利权）人： | 浙江芯动科技有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18;F16F15/02;H05K7/20 |
| 代理公司： | 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙) 33253 | 代理人： | 熊亮亮 |
| 地址： | 314001 浙江省嘉兴市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mems 硅压阻式 压力 敏感 芯片 | ||
1.一种MEMS硅压阻式压力敏感芯片，包括基板(1)，其特征在于：所述基板(1)的上方设置有硅片衬底(2)，所述基板(1)的上表面固定连接有封装环(3)，且硅片衬底(2)的底端位于封装环(3)内部，所述封装环(3)的内侧壁固定连接有第一散热膜(4)，且硅片衬底(2)的外侧壁与第一散热膜(4)的内侧表面贴合，所述封装环(3)的外侧壁固定连接有第二散热膜(5)，所述封装环(3)的内部贯穿设置有多个呈环形阵列分布的散热孔(6)，且散热孔(6)内部填充有导热硅脂，所述第一散热膜(4)和第二散热膜(5)均与导热硅脂贴合，所述硅片衬底(2)的下表面固定连接有第一绝缘层(7)。
2.根据权利要求1所述的一种MEMS硅压阻式压力敏感芯片，其特征在于：所述基板(1)的上表面固定连接有缓冲层(8)，且缓冲层(8)位于硅片衬底(2)的正下方，所述第一散热膜(4)的底端表面与缓冲层(8)的上表面边缘处固定连接。
3.根据权利要求2所述的一种MEMS硅压阻式压力敏感芯片，其特征在于：所述缓冲层(8)的上表面与第一绝缘层(7)的下表面固定连接，所述缓冲层(8)的内部贯穿设置有多个呈椭圆形的缓冲腔(9)。
4.根据权利要求3所述的一种MEMS硅压阻式压力敏感芯片，其特征在于：所述硅片衬底(2)的上方设置有硅薄膜电阻层(10)，所述硅薄膜电阻层(10)的上方设置有第二绝缘层(11)。
5.根据权利要求4所述的一种MEMS硅压阻式压力敏感芯片，其特征在于：所述封装环(3)的上表面环绕设置有滑动密封垫(12)，且滑动密封垫(12)的内侧与硅片衬底(2)的外侧壁表面贴合。
6.根据权利要求5所述的一种MEMS硅压阻式压力敏感芯片，其特征在于：所述第一散热膜(4)和第二散热膜(5)设置为石墨烯散热膜，所述第一绝缘层(7)和第二绝缘层(11)设置为绝缘聚酯薄膜。
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