[实用新型]一种屏蔽栅半导体功率器件有效
| 申请号： | 202122462132.4 | 申请日： | 2021-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN216213474U | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;叶鹏;周锦程;杨卓;刘晶晶 | 申请（专利权）人： | 无锡新洁能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/423 |
| 代理公司： | 无锡市兴为专利代理事务所(特殊普通合伙) 32517 | 代理人： | 朱荣富 |
| 地址： | 214028 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种功率半导体结构，尤其是一种屏蔽栅半导体功率器件。本实用新型的屏蔽栅半导体功率器件包括第一导电类型衬底，在所述第一导电类型衬底上方设有第一导电类型外延层，在俯视角度上，第一导电类型外延层表面设有互相平行且均匀分布的第一类沟槽，所述半导体功率器件上至少一处设置有第二类沟槽，第二类沟槽垂直设置在相邻的第一类沟槽之间，所述第二类沟槽的两端均与第一类沟槽相连，第二类沟槽的两端均与第一类沟槽相连或第二类沟槽的一端与第一类沟槽相连，另一端与第一类沟槽不相连。第二类沟槽是人为设置的击穿薄弱点，能够分散短路关断瞬间的电流，防止电流过于集中，从而解决相关技术中短路关断瞬间失效的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 屏蔽 半导体 功率 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡新洁能股份有限公司，未经无锡新洁能股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202122462132.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种锂电池负极材料石墨化用保温材料移动吸料系统
- 下一篇：一种导料机
- 同类专利
- 专利分类
