[实用新型]适用于高压MOS的全包封封装结构、PCB板和整机有效

专利信息
申请号: 202122448369.7 申请日: 2021-10-12
公开(公告)号: CN216015338U 公开(公告)日: 2022-03-11
发明(设计)人: 杨红伟;李大春;李鑫 申请(专利权)人: 四川民承电子有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/495;H01L23/367;H01L23/00
代理公司: 成都中玺知识产权代理有限公司 51233 代理人: 张敏
地址: 621600 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 实用新型提供了一种适用于高压MOS的全包封封装结构、PCB板和整机,所述全包封封装结构包括金属框架和塑封体,其中,所述金属框架包括从上到下依次连接的散热片区、载片区和引脚区;所述塑封体将散热片区和载片区全部包裹以避免散热片区和载片区与空气接触;所述引脚区具有n组彼此连接的管脚和限位台阶,且所述限位台阶的宽度大于所述管脚的宽度。本实用新型具有能够避免金属框架与空气接触发生氧化、框架与塑封体结合部位存在间隙容易造成水汽渗入、耐高压绝缘等优点。
搜索关键词: 适用于 高压 mos 全包封 封装 结构 pcb 整机
【主权项】:
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