[实用新型]适用于高压MOS的全包封封装结构、PCB板和整机

说明书

本实用新型提供了一种适用于高压MOS的全包封封装结构、PCB板和整机，所述全包封封装结构包括金属框架和塑封体，其中，所述金属框架包括从上到下依次连接的散热片区、载片区和引脚区；所述塑封体将散热片区和载片区全部包裹以避免散热片区和载片区与空气接触；所述引脚区具有n组彼此连接的管脚和限位台阶，且所述限位台阶的宽度大于所述管脚的宽度。本实用新型具有能够避免金属框架与空气接触发生氧化、框架与塑封体结合部位存在间隙容易造成水汽渗入、耐高压绝缘等优点。

技术领域

本实用新型涉及半导体器封装技术领域，具体来讲，涉及一种适用于高压MOS的全包封封装结构、PCB板和整机。

背景技术

TO251是一种功率晶体管和稳压芯片的贴片式封装，是一种市场上应用较为广泛的电子元器件，该类型产品历经10余年的发展依然长盛不衰，且市场上呈现出需求越来越旺盛的迹象，而受集成电路芯片和TO251产品封装外形的限制

TO-251封装是直插式的封装，MOS管芯片在制作完成之后，需要给 MOSFET芯片加上一个外壳，即MOS管封装。MOSFET芯片的外壳具有支撑、保护、冷却的作用，同时还为芯片提供电气连接和隔离，以便MOSFET 器件与其它元件构成完整的电路。按照安装在PCB方式来区分，MOS管封装主要有两大类:插入式(Through Hole)和表面贴装式(Surface Mount)。插入式就是MOSFET的管脚穿过PCB的安装孔焊接在PCB上。表面贴装则是 MOSFET的管脚及散热法兰焊接在PCB表面的焊盘上。传统TO251封装存在以下问题：

a)采用半包封型式，有部分金属框架散热片区以及载片区北部裸露在空气中；

b)塑封体和框架有接触间隙和结合部。

传统TO251封装的弊端：

a)裸露在空气中的框架长时间后容易氧化；

b)框架和塑封体结合部位可能会因结合不够紧密，容易造成水汽渗入，导致产品失效；

c)传统TO251高压MOS产品在实际使用过程中可能会因框架裸露导致产品高压击穿不良；

d)在实际使用过程中，为了保证传统TO251封装的绝缘性能，会增加打绝缘胶或者绝缘垫片工序以确保产品不会漏电、导通，浪费人力物力以及增加产品成本。

因此，有必要对传统的结构进行改进，解决在封装高压MOS产品在使用中的绝缘及气密性问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于解决现有技术存在的上述不足中的至少一项。例如，本实用新型的目的在于提供一种金属框架不宜发生氧化、不易发生高压击穿不良、气密性良好的适用于高压MOS的全包封封装结构。

为了实现上述目的，本实用新型的一方面提供了一种适用于高压MOS 的全包封封装结构，所述封装结构包括金属框架和塑封体，其中，所述金属框架包括从上到下依次连接的散热片区、载片区和引脚区；所述塑封体将散热片区和载片区全部包裹以避免散热片区和载片区与空气接触；所述引脚区具有n组彼此连接的管脚和限位台阶，且所述限位台阶的宽度大于所述管脚的宽度。

在本实用新型的一个示例性实施例中，所述塑封体整体可为矩形结构，所述载片区的最小塑封厚度可为1.65～1.90mm。

在本实用新型的一个示例性实施例中，所述全包封封装结构的额定功率可为20～40w，额定电流可为2～7A。

在本实用新型的一个示例性实施例中，所述全包封封装结构适用于400V 以上电压场合。

在本实用新型的一个示例性实施例中，所述全包封封装结构除引脚区外不存在引线框架与塑封体的结合部位。

在本实用新型的一个示例性实施例中，所述限位台阶的高度可为1.65～ 1.85mm。