[实用新型]适用于高压MOS的全包封封装结构、PCB板和整机有效
| 申请号： | 202122448369.7 | 申请日： | 2021-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN216015338U | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 杨红伟;李大春;李鑫 | 申请（专利权）人： | 四川民承电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/495;H01L23/367;H01L23/00 |
| 代理公司： | 成都中玺知识产权代理有限公司 51233 | 代理人： | 张敏 |
| 地址： | 621600 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 适用于 高压 mos 全包封 封装 结构 pcb 整机 | ||
1.一种适用于高压MOS的全包封封装结构，其特征在于，所述封装结构包括金属框架和塑封体，其中，
所述金属框架包括从上到下依次连接的散热片区、载片区和引脚区；
所述塑封体将散热片区和载片区全部包裹以避免散热片区和载片区与空气接触；
所述引脚区具有n组彼此连接的管脚和限位台阶，且所述限位台阶的宽度大于所述管脚的宽度。
2.根据权利要求1所述的适用于高压MOS的全包封封装结构，其特征在于，所述塑封体整体为矩形结构，所述载片区的最小塑封厚度为1.65～1.90mm。
3.根据权利要求1所述的适用于高压MOS的全包封封装结构，其特征在于，所述全包封封装结构的额定功率为20～40w，额定电流为2～7A。
4.根据权利要求1所述的适用于高压MOS的全包封封装结构，其特征在于，所述全包封封装结构适用于400V以上电压场合。
5.根据权利要求1所述的适用于高压MOS的全包封封装结构，其特征在于，所述全包封封装结构除引脚区外不存在引线框架与塑封体的结合部位。
6.根据权利要求1所述的适用于高压MOS的全包封封装结构，其特征在于，所述限位台阶的高度为1.65～1.85mm。
7.根据权利要求1所述的适用于高压MOS的全包封封装结构，其特征在于，所述n为3、5或7。
8.根据权利要求1所述的适用于高压MOS的全包封封装结构，其特征在于，n组中所有的管脚的宽度相同，并且所有的限位段的宽度相同。
9.一种PCB板，其特征在于，所述PCB板设置有如权利要求1～8中任意一项所述适用于高压MOS的全包封封装结构。
10.一种整机，其特征在于，所述整机包括如权利要求9所述的PCB板。
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