[实用新型]一种高性能SGT MOSFET器件有效
| 申请号： | 202122384160.9 | 申请日： | 2021-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN216597598U | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 刘锋;殷允超;费国芬 | 申请（专利权）人： | 捷捷微电（无锡）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 无锡科嘉知信专利代理事务所(普通合伙) 32515 | 代理人： | 顾翰林 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新吴区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本实用新型公开了一种高性能SGT MOSFET器件，其技术方案要点是：包括MOSFET器件体，所述MOSFET器件体虚拟分割成Cell区域和Ring区域，所述MOSFET器件体的底部设有N |
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| 搜索关键词： | 一种 性能 sgt mosfet 器件 | ||
【主权项】：
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