[实用新型]一种高性能SGT MOSFET器件有效
| 申请号： | 202122384160.9 | 申请日： | 2021-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN216597598U | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 刘锋;殷允超;费国芬 | 申请（专利权）人： | 捷捷微电（无锡）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 无锡科嘉知信专利代理事务所(普通合伙) 32515 | 代理人： | 顾翰林 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新吴区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 性能 sgt mosfet 器件 | ||
1.一种高性能SGT MOSFET器件，包括MOSFET器件体，其特征在于：所述MOSFET器件体虚拟分割成Cell区域(1)和Ring区域(2)，所述MOSFET器件体的底部设有N+衬底层(3)，所述N+衬底层(3)的上部设有epi1层(4)，所述epi1层(4)的上部设有epi2层(5)，所述epi2层(5)的顶部注入形成P型杂质B+层(6)，所述P型杂质B+层(6)的顶部设有介质淀积层(7)，所述介质淀积层(7)的顶部设有金属层(8)，所述Cell区域(1)和所述Ring区域(2)分别开设有沟槽(9)，所述沟槽(9)的底部穿透所述epi1层(4)处于所述epi2层(5)的内部，所述沟槽(9)的内壁设有淀积氧化层(10)，所述Cell区域(1)内的所述沟槽(9)的内部设有第一多晶硅(11)和第四多晶硅(14)，所述Ring区域(2)内的所述沟槽(9)内分别设有第二多晶硅(12)和第三多晶硅(13)。
2.根据权利要求1所述的一种高性能SGT MOSFET器件，其特征在于：所述N+衬底层(3)采用的是红磷衬底，所述epi1层(4)和所述epi2层(5)的电阻率分别是0.2-0.4ohm.cm和0.1-0.2ohm.cm，所述epi1层(4)和所述epi2层(5)的厚度均是2-4um。
3.根据权利要求1所述的一种高性能SGT MOSFET器件，其特征在于：所述淀积氧化层采用的是热生长薄氧化层500A和CVD淀积氧化层2000A-2500A，所述淀积氧化层上再进行HDP淀积氧化层，且隔离氧化层厚度为2500-3000A。
4.根据权利要求1所述的一种高性能SGT MOSFET器件，其特征在于：所述P型杂质B+层(6)在所述epi2层(5)的顶部浇注推进形成P阱区，所述P阱区的结深为0.7um。
5.根据权利要求1所述的一种高性能SGT MOSFET器件，其特征在于：所述P型杂质B+层(6)的顶部一端设有N+光刻槽，所述N+光刻槽内注入有N+层(15)。
6.根据权利要求1所述的一种高性能SGT MOSFET器件，其特征在于：所述金属层(8)包覆在所述介质淀积层(7)上，所述金属层(8)的一端镶嵌在所述介质淀积层(7)和所述P型杂质B+层(6)的端部。
7.根据权利要求1所述的一种高性能SGT MOSFET器件，其特征在于：所述第一多晶硅(11)用于引出源极，所述第四多晶硅(14)用于引出栅极，所述金属层(8)背面金属化引出漏极。
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