[实用新型]沟槽型屏蔽栅器件有效
| 申请号： | 202122244283.2 | 申请日： | 2021-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN216161742U | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 覃源;高盼盼 | 申请（专利权）人： | 合肥矽普半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海十蕙一兰知识产权代理有限公司 31331 | 代理人： | 于露萍 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市高新区*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型属于半导体技术领域，具体涉及一种沟槽型屏蔽栅器件。一种沟槽型屏蔽栅器件，包括：一外延层；和至少一有源区沟槽，位于外延层上；有源区沟槽内具有：一栅极多晶硅，位于有源区沟槽内；一栅极氧化物介质层，位于栅极多晶硅与有源区沟槽上部之间；栅极氧化物介质层的上部具有：一氧化物凸起部，伸出于有源区沟槽；栅极多晶硅的上部具有：一第一凸起部，伸出于有源区沟槽；一第二凸起部，位于第一凸起部上方。本实用新型具有第一凸起部和第二凸起部，使得刻蚀时的多晶硅消耗量极小，消除了由于栅极多晶硅回蚀时刻蚀量波动对栅极多晶硅的实际长度产生的影响，可以通过加大刻蚀量确保转角处多晶硅不会产生残留，减小器件漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 屏蔽 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥矽普半导体科技有限公司，未经合肥矽普半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202122244283.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
