[实用新型]沟槽型屏蔽栅器件

权利要求书

1.一种沟槽型屏蔽栅器件，包括：一外延层；和至少一有源区沟槽，位于所述外延层上；

所述有源区沟槽内具有：

一栅极多晶硅，位于所述有源区沟槽内；

一栅极氧化物介质层，位于所述栅极多晶硅与所述有源区沟槽上部之间；

其特征在于，所述栅极氧化物介质层的上部具有：

一氧化物凸起部，伸出于所述有源区沟槽；

所述栅极多晶硅的上部具有：

一第一凸起部，伸出于所述有源区沟槽；

一第二凸起部，位于所述第一凸起部上方。

2.如权利要求1所述的沟槽型屏蔽栅器件，其特征在于，所述有源区沟槽的中心深度：所述第一凸起部的凸起高度为100：+1.81～2.27。

3.如权利要求2所述的沟槽型屏蔽栅器件，其特征在于，所述有源区沟槽的中心深度：所述第一凸起部的凸起高度为100：+1.90～2.13。

4.如权利要求1所述的沟槽型屏蔽栅器件，其特征在于，所述有源区沟槽的中心深度：所述第二凸起部的凸起高度为100：+1.80～8.10。

5.如权利要求4所述的沟槽型屏蔽栅器件，其特征在于，所述有源区沟槽的中心深度：所述第二凸起部的凸起高度为100：+3.60～6.30。

6.如权利要求1所述的沟槽型屏蔽栅器件，其特征在于，所述氧化物凸起部伸出于所述有源区沟槽的外侧面向外侧延伸形成位于所述有源区沟槽外的两个氧化物垫片。

7.如权利要求1或6所述的沟槽型屏蔽栅器件，其特征在于，所述氧化物凸起部位于所述第一凸起部两侧侧壁外。

8.如权利要求7所述的沟槽型屏蔽栅器件，其特征在于，所述第一凸起部的底面与所述有源区沟槽的顶面齐平，所述第一凸起部的顶面与所述氧化物凸起部的顶面齐平。

9.如权利要求1所述的沟槽型屏蔽栅器件，其特征在于，所述第二凸起部的宽度大于所述有源区沟槽的临界最大开口宽度。

10.如权利要求1或9中任意一项所述的沟槽型屏蔽栅器件，其特征在于，所述沟槽型屏蔽栅器件还包括：

至少两个氮化物垫片，设置在所述第二凸起部两侧侧壁外且位于所述氧化物凸起部上方。

11.如权利要求10所述的沟槽型屏蔽栅器件，其特征在于，所述氮化物垫片的顶面与所述第二凸起部顶面齐平。

12.如权利要求1所述的沟槽型屏蔽栅器件，其特征在于，所述沟槽型屏蔽栅器件还包括：

一源极多晶硅，位于所述有源区沟槽内且位于所述栅极多晶硅下方；

一横向氧化物介质层，位于所述源极多晶硅和所述栅极多晶硅之间，由所述横向氧化物介质层将所述源极多晶硅和所述栅极多晶硅隔开。

13.如权利要求6所述的沟槽型屏蔽栅器件，其特征在于，所述沟槽型屏蔽栅器件还包括：

一体区，位于所述外延层上方；

一源区，位于所述体区上方；

所述有源区沟槽从上往下依次贯穿所述源区和所述体区并延伸入于所述外延层；

所述氧化物凸起部高于所述源区高度，所述氧化物垫片位于所述源区上方，由所述氧化物垫片将所述栅极多晶硅和所述源区隔开。