[实用新型]一种基于碳化硅的导电结构有效
| 申请号： | 202122192685.2 | 申请日： | 2021-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN216161741U | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 尹其言;张旭文 | 申请（专利权）人： | 湖南钛芯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/16 | 分类号： | H01L29/16;H01L29/08;H01L29/772 |
| 代理公司： | 东莞市卓易专利代理事务所(普通合伙) 44777 | 代理人： | 王慧敏 |
| 地址： | 410000 湖南省长沙市开福区东风路街道芙蓉中路1段303号*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于碳化硅的导电结构，包括基层块和设置在其上端的漂流区域，所述漂流区域用于提供大量的空穴以及少量的电子，所述漂流区域上端两侧分别设有提供电子的第一电极半导体和用于将电子引出的第二电极半导体，所述第一电极半导体和第二电极半导体之间设有隔断电子流动的门极块，所述门极块上端设有用于提供正电以吸附电子在门极块处汇集的电源块，所述第一电极半导体和第二电极半导体都为竖直分布的矩形结构，本申请针对现有装置的弊端进行设计，优化了作为源极和漏极的两个半导体的结构，将传统平铺结构替换成竖直结构，有效的增大了电子的流通面积，降低了电阻，提高了导电性能，实用性强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 碳化硅 导电 结构 | ||
【主权项】：
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