[实用新型]一种基于碳化硅的导电结构

权利要求书

1.一种基于碳化硅的导电结构，包括基层块(600)和设置在其上端的漂流区域(500)，所述漂流区域(500)用于提供大量的空穴以及少量的电子，所述漂流区域(500)上端两侧分别设有提供电子的第一电极半导体(100)和用于将电子引出的第二电极半导体(400)，其特征在于，所述第一电极半导体(100)和第二电极半导体(400)之间设有隔断电子流动的门极块(200)，所述门极块(200)上端设有用于提供正电以吸附电子在门极块(200)处汇集的电源块，所述第一电极半导体(100)和第二电极半导体(400)都为竖直分布的矩形结构。

2.根据权利要求1所述的基于碳化硅的导电结构，其特征在于，所述第一电极半导体(100)和第二电极半导体(400)都采用碳化硅材料制成。

3.根据权利要求1所述的基于碳化硅的导电结构，其特征在于，所述门极块(200)上端外侧设有一层用于绝缘的绝缘层(300)。

4.根据权利要求3所述的基于碳化硅的导电结构，其特征在于，所述绝缘层(300)为SiO2氧化层。

5.根据权利要求1所述的基于碳化硅的导电结构，其特征在于，所述漂流区域(500)采用碳化硅构成，其离子布置浓度低于第一电极半导体(100)和第二电极半导体(400)。