[实用新型]一种基于碳化硅的导电结构

说明书

本实用新型公开了一种基于碳化硅的导电结构，包括基层块和设置在其上端的漂流区域，所述漂流区域用于提供大量的空穴以及少量的电子，所述漂流区域上端两侧分别设有提供电子的第一电极半导体和用于将电子引出的第二电极半导体，所述第一电极半导体和第二电极半导体之间设有隔断电子流动的门极块，所述门极块上端设有用于提供正电以吸附电子在门极块处汇集的电源块，所述第一电极半导体和第二电极半导体都为竖直分布的矩形结构，本申请针对现有装置的弊端进行设计，优化了作为源极和漏极的两个半导体的结构，将传统平铺结构替换成竖直结构，有效的增大了电子的流通面积，降低了电阻，提高了导电性能，实用性强。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，具体是一种基于碳化硅的导电结构。

背景技术

碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、最经济的一种，可以称为金钢砂或耐火砂。

现有的碳化硅晶体管结构中，由于左右两侧连接电极的半导体结构呈水平平铺设置，这样就导致电子通道的截面实际较小，这样不利于提高电子的流量，基于此，现在提供一种基于碳化硅的导电结构。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种基于碳化硅的导电结构，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种基于碳化硅的导电结构，包括基层块和设置在其上端的漂流区域，所述漂流区域用于提供大量的空穴以及少量的电子，所述漂流区域上端两侧分别设有提供电子的第一电极半导体和用于将电子引出的第二电极半导体，所述第一电极半导体和第二电极半导体之间设有隔断电子流动的门极块，所述门极块上端设有用于提供正电以吸附电子在门极块处汇集的电源块，所述第一电极半导体和第二电极半导体都为竖直分布的矩形结构。

作为本实用新型进一步的方案：所述第一电极半导体和第二电极半导体都采用碳化硅材料制成。

作为本实用新型进一步的方案：所述门极块上端外侧设有一层用于绝缘的绝缘层。

作为本实用新型进一步的方案：所述绝缘层为SiO2氧化层。

作为本实用新型进一步的方案：所述漂流区域采用碳化硅构成，其离子布置浓度低于第一电极半导体和第二电极半导体。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本申请针对现有装置的弊端进行设计，优化了作为源极和漏极的两个半导体的结构，将传统平铺结构替换成竖直结构，有效的增大了电子的流通面积，降低了电阻，提高了导电性能，实用性强。

附图说明

图1为现有技术的结构示意图。

图2为本实用新型的结构示意图。

图3为本实用新型中吃出沟槽的结构示意图。

图4为本实用新型中离子佈植的结构示意图。

图5为本实用新型中离子佈植后的结构示意图。

其中：第一电极半导体100、门极块200、绝缘层300、第二电极半导体400、漂流区域500、基层块600。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

实施例1