[实用新型]一种电容结构以及半导体器件有效
| 申请号： | 202122147110.9 | 申请日： | 2021-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN215600360U | 公开（公告）日： | 2022-01-21 |
| 发明（设计）人： | 陈敏腾 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 陈超德;吴昊 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种电容结构以及半导体器件，该电容结构可以包括第一电极结构、设置在第一电极结构上的电容介电层以及设置在电容介电层上的第二电极结构，其中第一电极结构和第二电极结构中的至少一个电极结构可以包括第一掺杂多晶硅层和第一导电层，第一掺杂多晶硅层至少部分覆盖电容介电层，第一导电层设置在第一掺杂多晶硅层背离电容介电层的一侧表面上。通过设置第一掺杂多晶硅层可以有效捕获泄漏电荷，防止泄漏电荷扩散至电容介电层中，从而能够有效避免电流泄漏，提高半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电容 结构 以及 半导体器件 | ||
【主权项】：
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