[实用新型]一种电容结构以及半导体器件

说明书

本实用新型公开了一种电容结构以及半导体器件，该电容结构可以包括第一电极结构、设置在第一电极结构上的电容介电层以及设置在电容介电层上的第二电极结构，其中第一电极结构和第二电极结构中的至少一个电极结构可以包括第一掺杂多晶硅层和第一导电层，第一掺杂多晶硅层至少部分覆盖电容介电层，第一导电层设置在第一掺杂多晶硅层背离电容介电层的一侧表面上。通过设置第一掺杂多晶硅层可以有效捕获泄漏电荷，防止泄漏电荷扩散至电容介电层中，从而能够有效避免电流泄漏，提高半导体器件的性能。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种电容结构以及半导体器件。

背景技术

动态随机存取存储器(DRAM)是一种易失性存储器，DRAM装置通常包括一个由存储器单元阵列组成的存储器区域和一个由控制电路组成的外围区域。其中作为存储器单元的电容结构可以包括下电极、电容介电层和上电极。由于电容结构中上电极和/或下电极的表面平整度较差时，电极和电容介电层之间不连续，容易引起电流泄漏，从而影响半导体器件性能。因此，急需提供一种电容结构，以有效减少泄漏电流。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是：现有技术电容结构中容易发生电流泄漏，影响半导体器件性能的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种电容结构以及半导体器件。

本实用新型的第一个方面，提供了一种电容结构，其包括：

第一电极结构；

电容介电层，所述电容介电层设置在所述第一电极结构上；

第二电极结构，所述第二电极结构设置在所述电容介电层上，其中，所述第一电极结构和所述第二电极结构中的至少一个电极结构包括第一掺杂多晶硅层和第一导电层，所述第一掺杂多晶硅层至少部分覆盖所述电容介电层，所述第一导电层设置在所述第一掺杂多晶硅层背离所述电容介电层的一侧表面上。

在一些实施例中，所述第一掺杂多晶硅层掺杂有第三主族、第四主族或第五主族的元素。

在一些实施例中，所述掺杂多晶硅层掺杂有碳原子。

在一些实施例中，所述电容结构还包括：

第二导电层，所述第二导电层设置在所述第二电极结构背离所述电容介电层的一侧表面上。

在一些实施例中，所述第二导电层包括掺杂锗化硅层。

在一些实施例中，所述电容结构还包括设置在所述第二电极结构和所述第二导电层之间的第二掺杂多晶硅层。

在一些实施例中，所述第一掺杂多晶硅层靠近所述第一导电层一侧的表面比所述第一掺杂多晶硅层靠近所述电容介电层一侧的表面的平整度差。

在一些实施例中，所述第一电极结构和/或所述第二电极结构还包括至少部分位于所述第一掺杂多晶硅层和所述第一导电层之间的氮化金属硅层。

在一些实施例中，部分所述氮化金属硅层与所述电容介电层接触。

本实用新型的第二个方面，提供了一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括如上任意一项所述的电容结构。

与现有技术相比，上述方案中的一个或多个实施例可以具有如下优点或有益效果：

应用本实用新型提供的电容结构，该电容结构可以包括第一电极结构、设置在第一电极结构上的电容介电层以及设置在电容介电层上的第二电极结构，其中第一电极结构和第二电极结构中的至少一个电极结构可以包括第一掺杂多晶硅层和第一导电层，第一掺杂多晶硅层至少部分覆盖电容介电层，第一导电层设置在第一掺杂多晶硅层背离电容介电层的一侧表面上。通过设置第一掺杂多晶硅层可以有效捕获泄漏电荷，防止泄漏电荷扩散至电容介电层中，从而能够有效避免电流泄漏，提高半导体器件的性能。

附图说明