[实用新型]一种电容结构以及半导体器件有效
| 申请号： | 202122147110.9 | 申请日： | 2021-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN215600360U | 公开（公告）日： | 2022-01-21 |
| 发明（设计）人： | 陈敏腾 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 陈超德;吴昊 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电容 结构 以及 半导体器件 | ||
1.一种电容结构，其特征在于，包括：
第一电极结构；
电容介电层，所述电容介电层设置在所述第一电极结构上；
第二电极结构，所述第二电极结构设置在所述电容介电层上，其中，所述第一电极结构和所述第二电极结构中的至少一个电极结构包括第一掺杂多晶硅层和第一导电层，所述第一掺杂多晶硅层至少部分覆盖所述电容介电层，所述第一导电层设置在所述第一掺杂多晶硅层背离所述电容介电层的一侧表面上。
2.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述第一掺杂多晶硅层掺杂有第三主族、第四主族或第五主族的元素。
3.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述掺杂多晶硅层掺杂有碳原子。
4.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述电容结构还包括：
第二导电层，所述第二导电层设置在所述第二电极结构背离所述电容介电层的一侧表面上。
5.根据权利要求4所述的电容结构，其特征在于，所述第二导电层包括掺杂锗化硅层。
6.根据权利要求4所述的电容结构，其特征在于，所述电容结构还包括设置在所述第二电极结构和所述第二导电层之间的第二掺杂多晶硅层。
7.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述第一掺杂多晶硅层靠近所述第一导电层一侧的表面比所述第一掺杂多晶硅层靠近所述电容介电层一侧的表面的平整度差。
8.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述第一电极结构和/或所述第二电极结构还包括至少部分位于所述第一掺杂多晶硅层和所述第一导电层之间的氮化金属硅层。
9.根据权利要求8所述的电容结构，其特征在于，部分所述氮化金属硅层与所述电容介电层接触。
10.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括权利要求1至9中任意一项所述的电容结构。
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