[实用新型]三室磁控溅射镀膜装置有效
| 申请号： | 202121998295.8 | 申请日： | 2021-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN215887213U | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 孙桂红;黄国兴;祝海生;梁红;陈立;唐莲;唐洪波 | 申请（专利权）人： | 湘潭宏大真空技术股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/56;C23C14/50 |
| 代理公司： | 湖南乔熹知识产权代理事务所(普通合伙) 43262 | 代理人： | 安曼 |
| 地址： | 411100 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种三室磁控溅射镀膜装置，三室磁控溅射镀膜装置包括运转机构、传送部、前室以及镀膜室，镀件设于一工件转架上，所述传送部与前室衔接，所述前室与镀膜室衔接，所述传送部、前室和镀膜室形成镀件的镀膜通道，所述前室与镀膜室独立设置真空设备，所述工件转架通过运转机构在镀膜室内转动，所述前室与所述镀膜室之间设置有阻挡装置，所述阻挡装置用于阻挡所述镀膜通道以使所述前室和镀膜室为单独的密封腔室，本实用新型技术方案可以通过隔断本体将前室和镀膜室进行隔断密封或进行开启连通从而提高了密封性。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控溅射 镀膜 装置 | ||
【主权项】：
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