[实用新型]过流保护半导体MOS器件有效
| 申请号： | 202121807307.4 | 申请日： | 2021-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN215496705U | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 田伟;廖兵 | 申请（专利权）人： | 苏州达晶半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62;H01L23/367;H01L29/78 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 215163 江苏省苏州市高*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开一种过流保护半导体MOS器件，其MOS芯片位于一导热陶瓷片的上表面，此导热陶瓷片的下表面具有一凸起台，所述导热陶瓷片的凸起台嵌入铜支撑框架的镂空区内，一环氧封装体包覆于MOS芯片、铜支撑框架和栅极引脚、漏极引脚和源极引脚各自的焊接端上；漏极引脚和源极引脚中至少一个引脚在位于焊接端与引脚端之间且在环氧封装体内的区域具有一低熔点金属线，此低熔点金属线的宽度小于相应的引脚宽度。本实用新型过流保护半导体MOS器件在提高器件散热的同时，当MOS管出现过大的电流时，能及时将电流阻断，提高了器件的整体结构强度和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 保护 半导体 mos 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州达晶半导体有限公司，未经苏州达晶半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202121807307.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：大流量截止阀
- 下一篇：一种具有防水功能的3D复合板电池盖
