[实用新型]过流保护半导体MOS器件

说明书

本实用新型公开一种过流保护半导体MOS器件，其MOS芯片位于一导热陶瓷片的上表面，此导热陶瓷片的下表面具有一凸起台，所述导热陶瓷片的凸起台嵌入铜支撑框架的镂空区内，一环氧封装体包覆于MOS芯片、铜支撑框架和栅极引脚、漏极引脚和源极引脚各自的焊接端上；漏极引脚和源极引脚中至少一个引脚在位于焊接端与引脚端之间且在环氧封装体内的区域具有一低熔点金属线，此低熔点金属线的宽度小于相应的引脚宽度。本实用新型过流保护半导体MOS器件在提高器件散热的同时，当MOS管出现过大的电流时，能及时将电流阻断，提高了器件的整体结构强度和稳定性。

技术领域

本实用新型涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种MOS器件。

背景技术

MOS管是金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管，MOS管具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好，因而通常在电源、驱动电路、开关电路等有广泛应用。随着市场的发展，对MOS的安全性和可靠性要求越来越高。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种过流保护半导体MOS器件，该过流保护半导体MOS器件在提高器件散热的同时，当MOS管出现过大的电流时，能及时将电流阻断，提高了提高了器件的整体结构强度和稳定性。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种过流保护半导体MOS器件，包括：MOS芯片、铜支撑框架、栅极引脚、漏极引脚和源极引脚，位于所述MOS芯片上表面的栅极区、漏极区和源极区分别通过第一金属线、第二金属线和第三金属线电连接到栅极引脚、漏极引脚和源极引脚各自的焊接端，所述铜支撑框架上具有一镂空区；

所述MOS芯片位于一导热陶瓷片的上表面，此导热陶瓷片的下表面具有一凸起台，所述导热陶瓷片的凸起台嵌入铜支撑框架的镂空区内，一环氧封装体包覆于MOS芯片、铜支撑框架和栅极引脚、 漏极引脚和源极引脚各自的焊接端上；

所述漏极引脚和源极引脚中至少一个引脚在位于焊接端与引脚端之间且在环氧封装体内的区域具有一低熔点金属线，此低熔点金属线的宽度小于相应的引脚宽度。

上述技术方案中进一步改进的方案如下：

1. 上述方案中，所述低熔点金属线为锡金属线、铋金属线或者铟金属线。

2. 上述方案中，所述镂空区形状为方形。

3. 上述方案中，所述导热陶瓷片厚度为1~2mm。

4. 上述方案中，所述凸起台厚度为1~2mm。

由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：

1、本实用新型MOS功率器件，其漏极引脚和源极引脚中至少一个引脚在位于焊接端与引脚端之间且在环氧封装体内的区域具有一低熔点金属线，此低熔点金属线的宽度小于相应的引脚宽度，当MOS管出现过大的电流时，位于漏极引脚或者源极引脚上的低熔点金属线发生熔断将电流阻断，从而避免MOS管在过大电流下发生爆炸，大大提高了MOS器件的安全性。

2、本实用新型MOS功率器件，其MOS芯片位于一导热陶瓷片的上表面，此导热陶瓷片的下表面具有一凸起台，所述导热陶瓷片的凸起台嵌入铜支撑框架的镂空区内，提高了器件的整体结构强度和稳定性，也有利于热量及时散热，改善了散热性能，从而延长了器件使用寿命。

附图说明

附图1为本实用新型过流保护半导体MOS器件的结构示意图；

附图2为附图1中A-A剖面结构示意图；

附图3为附图1的后视结构示意图；

附图4为本实用新型过流保护半导体MOS器件的内部结构示意图。