[实用新型]过流保护半导体MOS器件有效

申请号：	202121807307.4	申请日：	2021-08-04
公开（公告）号：	CN215496705U	公开（公告）日：	2022-01-11
发明（设计）人：	田伟;廖兵	申请（专利权）人：	苏州达晶半导体有限公司
主分类号：	H01L23/62	分类号：	H01L23/62;H01L23/367;H01L29/78
代理公司：	苏州创元专利商标事务所有限公司 32103	代理人：	王健
地址：	215163 江苏省苏州市高***	国省代码：	江苏;32
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	保护半导体 mos 器件
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【权利要求书】：

1.一种过流保护半导体MOS器件，其特征在于：包括：MOS芯片（1）、铜支撑框架（2）、栅极引脚（3）、漏极引脚（4）和源极引脚（5），位于所述MOS芯片（1）上表面的栅极区（101）、漏极区（102）和源极区（103）分别通过第一金属线（61）、第二金属线（62）和第三金属线（63）电连接到栅极引脚（3）、漏极引脚（4）和源极引脚（5）各自的焊接端，所述铜支撑框架（2）上具有一镂空区（7）；

所述MOS芯片（1）位于一导热陶瓷片（8）的上表面，此导热陶瓷片（8）的下表面具有一凸起台（11），所述导热陶瓷片（8）的凸起台（11）嵌入铜支撑框架（2）的镂空区（7）内，一环氧封装体（9）包覆于MOS芯片（1）、铜支撑框架（2）和栅极引脚（3）、漏极引脚（4）和源极引脚（5）各自的焊接端上；

所述漏极引脚（4）和源极引脚（5）中至少一个引脚在位于焊接端与引脚端之间且在环氧封装体（9）内的区域具有一低熔点金属线（10），此低熔点金属线（10）的宽度小于相应的引脚宽度。

2.根据权利要求1所述的过流保护半导体MOS器件，其特征在于：所述低熔点金属线（10）为锡金属线、铋金属线或者铟金属线。

3.根据权利要求1所述的过流保护半导体MOS器件，其特征在于：所述镂空区（7）形状为方形。

4.根据权利要求1所述的过流保护半导体MOS器件，其特征在于：所述导热陶瓷片（8）厚度为1~2mm。

5.根据权利要求1所述的过流保护半导体MOS器件，其特征在于：所述凸起台（11）厚度为1~2mm。

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州达晶半导体有限公司，未经苏州达晶半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】

本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202121807307.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。