[实用新型]半导体器件及其隔离结构有效
申请号: | 202121701225.1 | 申请日: | 2021-07-26 |
公开(公告)号: | CN216054716U | 公开(公告)日: | 2022-03-15 |
发明(设计)人: | 夏志平;温建功;陈洪雷;孙样慧;田浩洋 | 申请(专利权)人: | 杭州士兰集成电路有限公司;杭州士兰集昕微电子有限公司 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06 |
代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人: | 蔡纯;杨思雨 |
地址: | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本申请公开了一种半导体器件及其隔离结构,隔离结构自半导体层的表面延伸至半导体层中,隔离结构具有:主体部、外沿部以及连接部,在与半导体层的表面平行的截面上,隔离结构的主体部的形状为多边形环,外沿部位于多边形环的外围,并与多边形环的顶角对应,且该顶角与该外沿部通过至少一个连接部连接。通过将隔离结构的外沿部设置在多边形环状的主体部的外围,外沿部通过隔离结构的连接部与对应的多边形环顶角相连,从而将该顶角处的应力释放,高了器件的可靠性。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 隔离 结构 | ||
【主权项】:
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