[实用新型]半导体器件及其隔离结构

权利要求书

1.一种半导体器件的隔离结构，其特征在于，所述隔离结构自半导体层的表面延伸至所述半导体层中，所述隔离结构具有：主体部、外沿部以及连接部，

在与所述半导体层的表面平行的截面上，所述隔离结构的主体部的形状为多边形环，所述外沿部位于所述多边形环的外围，并与所述多边形环的顶角对应，且该顶角与该外沿部通过至少一个连接部连接。

2.根据权利要求1所述的隔离结构，其特征在于，所述外沿部的数量为多个，所述多边形环的每个顶角分别对应一个所述外沿部。

3.根据权利要求1所述的隔离结构，其特征在于，所述半导体层包括衬底，所述半导体层具有沟槽，所述隔离结构填充在所述沟槽中，

其中，所述隔离结构包括：

覆盖所述沟槽内表面的介质层；以及

填充在所述沟槽中的第三介质层。

4.根据权利要求3所述的隔离结构，其特征在于，所述沟槽的宽度范围在0.8～5um之间，所述沟槽的深度范围在5～40um之间。

5.根据权利要求3所述的隔离结构，其特征在于，所述介质层包括：

覆盖所述沟槽内表面的第一介质层；以及

覆盖所述第一介质层的第二介质层。

6.根据权利要求5所述的隔离结构，其特征在于，所述第一介质层和所述第二介质层为氧化硅层，所述第三介质层为多晶硅层。

7.根据权利要求1-6任一项所述的隔离结构，其特征在于，所述多边形环中的顶角呈圆角。

8.根据权利要求7所述的隔离结构，其特征在于，所述多边形环中的每个顶角均呈圆角。

9.根据权利要求7所述的隔离结构，其特征在于，所述多边形环为矩形环，所述矩形环的各顶角均呈圆角。

10.根据权利要求7所述的隔离结构，其特征在于，所述外沿部的数量与所述多边形环的顶角数量一致，各所述外沿部彼此分隔。

11.根据权利要求7所述的隔离结构，其特征在于，在与所述半导体层的表面平行的截面上，所述外沿部的弯曲方向与对应的所述顶角一致。

12.根据权利要求11所述的隔离结构，其特征在于，在与所述半导体层的表面平行的截面上，所述多边形环顶角的内径与所述多边形环的宽度之比的范围在3～10之间，弯曲的所述外沿部的外径与所述多边形环的宽度之比的范围在6～15之间。

13.一种半导体器件，其特征在于，包括如权利要求1-12任一项所述的隔离结构。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体层包括：衬底；以及位于所述衬底上的外延层，其中，所述隔离结构自所述外延层的表面延伸至所述衬底中。

15.根据权利要求13或14所述的半导体器件，其特征在于，在所述半导体层中，所述隔离结构的主体部围绕的区域为器件区，

所述器件区具有LDMOS器件、IGBT器件以及高压MOS器件中的至少一种。