[实用新型]石墨烯冷壁生长装置有效

专利信息
申请号: 202121673706.6 申请日: 2021-07-22
公开(公告)号: CN215161040U 公开(公告)日: 2021-12-14
发明(设计)人: 张锦;许世臣;沈超;姬楠楠;陈卓 申请(专利权)人: 北京石墨烯研究院;北京大学
主分类号: C01B32/186 分类号: C01B32/186;C23C16/26;C23C16/517
代理公司: 北京律智知识产权代理有限公司 11438 代理人: 王辉;阚梓瑄
地址: 100095 北京市海淀区苏家*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本公开提供了一种石墨烯冷壁生长装置,涉及石墨烯技术领域。该石墨烯冷壁生长装置包括:反应腔室,所述反应腔室设置有两个通孔;支架,所述支架由两个侧板和一个底座组成,所述支架放置于所述反应腔室内;上电极板,所述上电极板放置于所述支架上;下电极板,所述下电极板放置于所述支架上;射频线圈,所述射频线圈与所述反应腔室连接;涡流线圈,所述涡流线圈与所述反应腔室连接;电源,所述电源两极的导线分别穿过所述反应腔室的两个通孔,所述电源两极分别与所述上电极板和所述下电极板相连接。本公开提供的石墨烯冷壁生长装置通过引入电场和涡流加热,可得到完全垂直于基底的竖直石墨烯,该装置结构简单、加热速度快、热效率高、成本低。
搜索关键词: 石墨 烯冷壁 生长 装置
【主权项】:
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