[实用新型]石墨烯冷壁生长装置

权利要求书

1.一种石墨烯冷壁生长装置，其特征在于，包括：

反应腔室，所述反应腔室设置有两个通孔；

支架，所述支架由两个侧板和一个底座组成，所述支架放置于所述反应腔室内；

上电极板，所述上电极板设置于所述支架上；

下电极板，所述下电极板设置于所述支架上；

射频线圈，所述射频线圈与所述反应腔室连接，所述射频线圈为所述石墨烯冷壁生长装置提供等离子发生源；

涡流线圈，所述涡流线圈与所述反应腔室连接，所述涡流线圈为所述石墨烯冷壁生长装置提供加热源；

电源，所述电源两极的导线分别穿过所述反应腔室的两个通孔，所述电源两极分别与所述上电极板和所述下电极板相连接。

2.根据权利要求1所述的石墨烯冷壁生长装置，其特征在于，该石墨烯冷壁生长装置还包括：

涡流线圈电源，所述涡流线圈电源与所述涡流线圈连接；

射频线圈匹配器，所述射频线圈电源匹配器与所述射频线圈连接。

3.根据权利要求1所述的石墨烯冷壁生长装置，其特征在于，

所述反应腔室包括进气端和抽气端，反应气体由所述进气端进入所述反应腔室，所述反应腔室的两个通孔设置在所述抽气端。

4.根据权利要求1所述的石墨烯冷壁生长装置，其特征在于，

所述支架的所述两个侧板为相对平行放置，所述底座垂直连接于所述两个侧板。

5.根据权利要求1所述的石墨烯冷壁生长装置，其特征在于，

所述上电极板垂直放置于所述支架的两个侧板上，所述上电极板与所述支架的底座平行。

6.根据权利要求1所述的石墨烯冷壁生长装置，其特征在于，

所述下电极板放置于所述支架的底座上，所述下电极板与所述上电极板平行放置。

7.根据权利要求1所述的石墨烯冷壁生长装置，其特征在于，

所述下电极板连接所述电源的正极，所述上电极板连接所述电源的负极。

8.根据权利要求1所述的石墨烯冷壁生长装置，其特征在于，

所述射频线圈以缠绕方式连接于所述反应腔室的外壁上。

9.根据权利要求1所述的石墨烯冷壁生长装置，其特征在于，

所述涡流线圈的数量为一个或多个。

10.根据权利要求1所述的石墨烯冷壁生长装置，其特征在于，

所述涡流线圈的数量为一个时，所述反应腔室穿过所述涡流线圈内部，所述涡流线圈被所述反应腔室分开的两部分分别对应于所述上电极板和所述下电极板，所述涡流线圈呈竖直方向放置；

所述涡流线圈的数量为多个时，所述涡流线圈紧贴于所述反应腔室外壁，所述涡流线圈分别对应于所述上电极板和所述下电极板，所述涡流线圈产生的磁场呈竖直方向。