[实用新型]一种低压屏蔽栅MOSFET器件有效
| 申请号： | 202121660553.1 | 申请日： | 2021-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN215578581U | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 陈雪萌;王艳颖;钱晓霞;汤艺 | 申请（专利权）人： | 上海道之科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 | 代理人： | 陈琦;陈继亮 |
| 地址： | 201800*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种低压屏蔽栅MOSFET器件，包括MOSFET器件本体，MOSFET器件本体主要包括N外延硅衬底及刻蚀在该N外延硅衬底内的若干沟槽，沟槽的中下部内壁上形成有一层场氧化层，该场氧化层内填充设置有一层屏蔽栅多晶硅，屏蔽栅多晶硅的顶部设置有一层栅间氧化层，所述栅间氧化层的顶部设置有控制栅及栅氧化层，所述栅氧化层形成在沟槽的上部侧壁上；所述N外延硅衬底的背面设置有一层由金属形成的漏极；其制作方法主要是在屏蔽栅形成后利用热氧化工艺在沟槽侧壁，屏蔽栅的顶部生长氧化层，该氧化层厚度足够厚，能够完全填充了屏蔽栅上部的沟槽，后续进行氧化层回刻形成屏蔽栅和控制栅之间的栅间氧化层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低压 屏蔽 mosfet 器件 | ||
【主权项】：
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