[实用新型]一种低压屏蔽栅MOSFET器件有效
| 申请号： | 202121660553.1 | 申请日： | 2021-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN215578581U | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 陈雪萌;王艳颖;钱晓霞;汤艺 | 申请（专利权）人： | 上海道之科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 | 代理人： | 陈琦;陈继亮 |
| 地址： | 201800*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低压 屏蔽 mosfet 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种低压屏蔽栅MOSFET器件，包括MOSFET器件本体，其特征在于：所述MOSFET器件本体主要包括N外延硅衬底及刻蚀在该N外延硅衬底内的若干沟槽，所述沟槽的中下部内壁上形成有一层场氧化层，该场氧化层内填充设置有一层屏蔽栅多晶硅，屏蔽栅多晶硅的顶部设置有一层由氧化层刻蚀形成的栅间氧化层，所述栅间氧化层的顶部设置有控制栅及栅氧化层，所述栅氧化层形成在沟槽的上部侧壁上；所述N外延硅衬底的背面设置有一层由金属形成的漏极。
2.根据权利要求1所述的低压屏蔽栅MOSFET器件，其特征在于：所述控制栅的截面为倒梯形结构且所述栅间氧化层的形状与控制栅的截面形状相似以使得栅间氧化层的顶部宽度大于底部宽度，所述控制栅及栅氧化层的顶部与N外延硅衬底的顶部齐平或略低于硅表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海道之科技有限公司，未经上海道之科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202121660553.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种起锚绞车卷筒的双棘爪共锁装置
- 下一篇：一种康复手法辅助工具
- 同类专利
- 专利分类
