[实用新型]一种半导体芯片制造专用激光退火设备有效

专利信息
申请号: 202121654600.1 申请日: 2021-07-20
公开(公告)号: CN215183856U 公开(公告)日: 2021-12-14
发明(设计)人: 亓信中;王文东 申请(专利权)人: 江苏联芯半导体科技有限公司
主分类号: H01L21/324 分类号: H01L21/324;H01L21/67
代理公司: 合肥华利知识产权代理事务所(普通合伙) 34170 代理人: 蒋玉娇
地址: 215627 江苏省苏州市张家港市杨*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一种半导体芯片制造专用激光退火设备,涉及激光退火技术领域,具体包括底板,底板上表面的两侧均开设有滑槽,底板通过滑槽滑动连接有连接件,连接件一侧表面的中部活动安装有丝杆,丝杆的中部螺纹连接有安装模组,连接件一侧表面的两侧固定连接有限位杆,限位杆贯穿连接在安装模组上,安装模组的上表面通过螺栓固定安装有承载件,承载件的上表面搭接有半导体芯片。通过底板与顶板上的连接件、丝杆、安装模组、承载件与滑槽,使得设备可以在水平面上有效构筑直坐标系,进而极大地方便工作人员对半导体芯片进行移动操作,使得半导体芯片可移动范围得到极大地增加,同时极大地增加了装置的实用性与适用性。
搜索关键词: 一种 半导体 芯片 制造 专用 激光 退火 设备
【主权项】:
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