[实用新型]一种半导体芯片制造专用激光退火设备有效
| 申请号: | 202121654600.1 | 申请日: | 2021-07-20 |
| 公开(公告)号: | CN215183856U | 公开(公告)日: | 2021-12-14 |
| 发明(设计)人: | 亓信中;王文东 | 申请(专利权)人: | 江苏联芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L21/67 |
| 代理公司: | 合肥华利知识产权代理事务所(普通合伙) 34170 | 代理人: | 蒋玉娇 |
| 地址: | 215627 江苏省苏州市张家港市杨*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 半导体 芯片 制造 专用 激光 退火 设备 | ||
1.一种半导体芯片制造专用激光退火设备,包括底板(1),其特征在于:所述底板(1)上表面的两侧均开设有滑槽(2),所述底板(1)通过滑槽(2)滑动连接有连接件(3),所述连接件(3)一侧表面的中部活动安装有丝杆(4),所述丝杆(4)的中部螺纹连接有安装模组(5),所述连接件(3)一侧表面的两侧固定连接有限位杆(6),所述限位杆(6)贯穿连接在安装模组(5)上,所述安装模组(5)的上表面通过螺栓固定安装有承载件(7),所述承载件(7)的上表面搭接有半导体芯片(8),所述连接件(3)的一侧固定安装有电机(10)。
2.根据权利要求1所述的一种半导体芯片制造专用激光退火设备,其特征在于:所述底板(1)下表面的两侧均通过螺栓固定连接有底座(9),所述电机(10)的输出端贯穿连接在连接件(3)上,并与丝杆(4)的一端相固定连接。
3.根据权利要求1所述的一种半导体芯片制造专用激光退火设备,其特征在于:所述底板(1)上表面的四角处均固定连接有支柱(11),所述支柱(11)的顶端固定连接有顶板(12),所述顶板(12)下表面的两侧同样开设有滑槽(2),四个所述滑槽(2)在俯视视角构成矩形阵列。
4.根据权利要求1所述的一种半导体芯片制造专用激光退火设备,其特征在于:所述连接件(3)的数量为四个,四个所述连接件(3)均匀分为两组,两组所述连接件(3)分别与底板(1)和顶板(12)相对应。
5.根据权利要求3所述的一种半导体芯片制造专用激光退火设备,其特征在于:所述顶板(12)上表面的中部开设有通孔,所述顶板(12)上表面的两侧均通过螺栓固定安装有连接座(13)。
6.根据权利要求5所述的一种半导体芯片制造专用激光退火设备,其特征在于:所述连接座(13)的顶部固定连接有安装板(14),所述安装板(14)上表面的中部开设有通孔。
7.根据权利要求6所述的一种半导体芯片制造专用激光退火设备,其特征在于:所述安装板(14)上表面的一侧固定连接有激光仪,所述安装板(14)的上表面固定连接有安装座(15),其中两个所述安装座(15)通过螺母与螺栓固定安装有透镜(16)。
8.根据权利要求7所述的一种半导体芯片制造专用激光退火设备,其特征在于:其中一个所述安装座(15)的内底壁固定连接有转轴,并通过转轴活动连接有棱镜(17),所述棱镜(17)的顶部固定连接有调节杆,所述调节杆的顶端螺纹连接有螺帽。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





