[实用新型]一种半导体芯片制造专用激光退火设备有效
| 申请号: | 202121654600.1 | 申请日: | 2021-07-20 |
| 公开(公告)号: | CN215183856U | 公开(公告)日: | 2021-12-14 |
| 发明(设计)人: | 亓信中;王文东 | 申请(专利权)人: | 江苏联芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L21/67 |
| 代理公司: | 合肥华利知识产权代理事务所(普通合伙) 34170 | 代理人: | 蒋玉娇 |
| 地址: | 215627 江苏省苏州市张家港市杨*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 半导体 芯片 制造 专用 激光 退火 设备 | ||
本实用新型公开了一种半导体芯片制造专用激光退火设备,涉及激光退火技术领域,具体包括底板,底板上表面的两侧均开设有滑槽,底板通过滑槽滑动连接有连接件,连接件一侧表面的中部活动安装有丝杆,丝杆的中部螺纹连接有安装模组,连接件一侧表面的两侧固定连接有限位杆,限位杆贯穿连接在安装模组上,安装模组的上表面通过螺栓固定安装有承载件,承载件的上表面搭接有半导体芯片。通过底板与顶板上的连接件、丝杆、安装模组、承载件与滑槽,使得设备可以在水平面上有效构筑直坐标系,进而极大地方便工作人员对半导体芯片进行移动操作,使得半导体芯片可移动范围得到极大地增加,同时极大地增加了装置的实用性与适用性。
技术领域
本实用新型涉及激光退火技术领域,具体为一种半导体芯片制造专用激光退火设备。
背景技术
退火是一种材料热处理工艺,指的是将材料缓慢加热到一定温度,保持足够时间,然后以适宜速度冷却。退火的目的是降低材料的硬度,改善切削加工性;降低残余应力,稳定尺寸,减少变形与裂纹倾向;细化晶粒,调整组织,消除组织缺陷,随着集成电路的发展,对其损伤区、电学参数恢复程度以及注入离子电激活率的要求也越来越高。常规的热退火方法不能完全消除缺陷,对高剂量注入晶片的电激活率不够高,还会产生二次缺陷,并且在热退火过程中,整个晶片(包括注入层和衬底)都要经受一次高温处理,增加了表面污染,特别是高温长时间的热退火会导致明显的杂质再分布,破坏粒子注入技术固有的优点,限制了其在VLSI中的应用。
一种半导体芯片制造专用激光退火设备是一种常用的激光退火设备,但其在实际使用过程中大多单方向移动芯片承载件,因此对于芯片的部分边缘不易进行工艺处理,因此极大地影响了芯片的品质。
实用新型内容
解决的技术问题
针对现有技术的不足,本实用新型提供了一种半导体芯片制造专用激光退火设备,解决了上述背景技术中提出的问题。
技术方案
为实现以上目的,本实用新型通过以下技术方案予以实现:一种半导体芯片制造专用激光退火设备,包括底板,所述底板上表面的两侧均开设有滑槽,所述底板通过滑槽滑动连接有连接件,所述连接件一侧表面的中部活动安装有丝杆,所述丝杆的中部螺纹连接有安装模组,所述连接件一侧表面的两侧固定连接有限位杆,所述限位杆贯穿连接在安装模组上,所述安装模组的上表面通过螺栓固定安装有承载件,所述承载件的上表面搭接有半导体芯片,所述连接件的一侧固定安装有电机。
可选的,所述底板下表面的两侧均通过螺栓固定连连接有底座,所述电机的输出端贯穿连接在连接件上,并与丝杆的一端相固定连接,进而极大地方便了工作人员调节安装模组的位置,继而方便后续进行退火工艺。
可选的,所述底板上表面的四角处均固定连接有支柱,所述支柱的顶端固定连接有顶板,所述顶板下表面的两侧同样开设有滑槽,四个所述滑槽在俯视视角构成矩形阵列,进而方便工作人员调节芯片位置,使得两个丝杆交叉构成的坐标轴内,均可进行退火工艺。
可选的,所述连接件的数量为四个,四个所述连接件均匀分为两组,两组所述连接件分别与底板和顶板相对应。
可选的,所述顶板上表面的中部开设有通孔,所述顶板上表面的两侧均通过螺栓固定安装有连接座,方便工作人员进行移动操作,避免芯片退火位置出现偏移。
可选的,所述连接座的顶部固定连接有安装板,所述安装板上表面的中部开设有通孔。
可选的,所述安装板上表面的一侧固定连接有激光仪,所述安装板的上表面固定连接有安装座,其中两个所述安装座通过螺母与螺栓固定安装有透镜,使得激光可以更加有效的进行传导折射,进而方便后续对待退火区域进行退火处理。
可选的,其中一个所述安装座的内底壁固定连接有转轴,并通过转轴活动连接有棱镜,所述棱镜的顶部固定连接有调节杆,所述调节杆的顶端螺纹连接有螺帽,继而极大地方便了工作人员对激光照射角度的调节,进而方便后续退火处理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





