[实用新型]一种半导体芯片制造专用激光退火设备有效

专利信息
申请号: 202121654600.1 申请日: 2021-07-20
公开(公告)号: CN215183856U 公开(公告)日: 2021-12-14
发明(设计)人: 亓信中;王文东 申请(专利权)人: 江苏联芯半导体科技有限公司
主分类号: H01L21/324 分类号: H01L21/324;H01L21/67
代理公司: 合肥华利知识产权代理事务所(普通合伙) 34170 代理人: 蒋玉娇
地址: 215627 江苏省苏州市张家港市杨*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 芯片 制造 专用 激光 退火 设备
【说明书】:

实用新型公开了一种半导体芯片制造专用激光退火设备,涉及激光退火技术领域,具体包括底板,底板上表面的两侧均开设有滑槽,底板通过滑槽滑动连接有连接件,连接件一侧表面的中部活动安装有丝杆,丝杆的中部螺纹连接有安装模组,连接件一侧表面的两侧固定连接有限位杆,限位杆贯穿连接在安装模组上,安装模组的上表面通过螺栓固定安装有承载件,承载件的上表面搭接有半导体芯片。通过底板与顶板上的连接件、丝杆、安装模组、承载件与滑槽,使得设备可以在水平面上有效构筑直坐标系,进而极大地方便工作人员对半导体芯片进行移动操作,使得半导体芯片可移动范围得到极大地增加,同时极大地增加了装置的实用性与适用性。

技术领域

本实用新型涉及激光退火技术领域,具体为一种半导体芯片制造专用激光退火设备。

背景技术

退火是一种材料热处理工艺,指的是将材料缓慢加热到一定温度,保持足够时间,然后以适宜速度冷却。退火的目的是降低材料的硬度,改善切削加工性;降低残余应力,稳定尺寸,减少变形与裂纹倾向;细化晶粒,调整组织,消除组织缺陷,随着集成电路的发展,对其损伤区、电学参数恢复程度以及注入离子电激活率的要求也越来越高。常规的热退火方法不能完全消除缺陷,对高剂量注入晶片的电激活率不够高,还会产生二次缺陷,并且在热退火过程中,整个晶片(包括注入层和衬底)都要经受一次高温处理,增加了表面污染,特别是高温长时间的热退火会导致明显的杂质再分布,破坏粒子注入技术固有的优点,限制了其在VLSI中的应用。

一种半导体芯片制造专用激光退火设备是一种常用的激光退火设备,但其在实际使用过程中大多单方向移动芯片承载件,因此对于芯片的部分边缘不易进行工艺处理,因此极大地影响了芯片的品质。

实用新型内容

解决的技术问题

针对现有技术的不足,本实用新型提供了一种半导体芯片制造专用激光退火设备,解决了上述背景技术中提出的问题。

技术方案

为实现以上目的,本实用新型通过以下技术方案予以实现:一种半导体芯片制造专用激光退火设备,包括底板,所述底板上表面的两侧均开设有滑槽,所述底板通过滑槽滑动连接有连接件,所述连接件一侧表面的中部活动安装有丝杆,所述丝杆的中部螺纹连接有安装模组,所述连接件一侧表面的两侧固定连接有限位杆,所述限位杆贯穿连接在安装模组上,所述安装模组的上表面通过螺栓固定安装有承载件,所述承载件的上表面搭接有半导体芯片,所述连接件的一侧固定安装有电机。

可选的,所述底板下表面的两侧均通过螺栓固定连连接有底座,所述电机的输出端贯穿连接在连接件上,并与丝杆的一端相固定连接,进而极大地方便了工作人员调节安装模组的位置,继而方便后续进行退火工艺。

可选的,所述底板上表面的四角处均固定连接有支柱,所述支柱的顶端固定连接有顶板,所述顶板下表面的两侧同样开设有滑槽,四个所述滑槽在俯视视角构成矩形阵列,进而方便工作人员调节芯片位置,使得两个丝杆交叉构成的坐标轴内,均可进行退火工艺。

可选的,所述连接件的数量为四个,四个所述连接件均匀分为两组,两组所述连接件分别与底板和顶板相对应。

可选的,所述顶板上表面的中部开设有通孔,所述顶板上表面的两侧均通过螺栓固定安装有连接座,方便工作人员进行移动操作,避免芯片退火位置出现偏移。

可选的,所述连接座的顶部固定连接有安装板,所述安装板上表面的中部开设有通孔。

可选的,所述安装板上表面的一侧固定连接有激光仪,所述安装板的上表面固定连接有安装座,其中两个所述安装座通过螺母与螺栓固定安装有透镜,使得激光可以更加有效的进行传导折射,进而方便后续对待退火区域进行退火处理。

可选的,其中一个所述安装座的内底壁固定连接有转轴,并通过转轴活动连接有棱镜,所述棱镜的顶部固定连接有调节杆,所述调节杆的顶端螺纹连接有螺帽,继而极大地方便了工作人员对激光照射角度的调节,进而方便后续退火处理。

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