[实用新型]基于MEMS芯体的质量传感器的防过载结构有效
申请号: | 202121593682.3 | 申请日: | 2021-07-14 |
公开(公告)号: | CN215064859U | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | 范茂军;黄富年;曹小军 | 申请(专利权)人: | 深圳市信为科技发展有限公司 |
主分类号: | G01G23/00 | 分类号: | G01G23/00 |
代理公司: | 深圳市深弘广联知识产权代理事务所(普通合伙) 44449 | 代理人: | 易涵冰 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型提供一种基于MEMS芯体的质量传感器的防过载结构,包括形变部、承载部和MEMS传感器,形变部和承载部扣合形成有密封腔,密封腔用于填充液体;MEMS传感器与密封腔连通并检测液体压力变化;其中,形变部远离承载部的表面部分向外凸出形成受力部,当受力部承载压力,形变部向承载部一侧靠近至抵持时,形变部停止变形;通过密封腔的小腔体大面积式设计,能够充分的提高测量灵敏度,而通过向外突出的受力部来承载重力,以使得形变部的形变是以受力部为中心向四周逐渐扩散的,当形变部与承载部抵持时即可以形成第一级的防过载结构,而围合成密封腔的其它部分是紧密贴合并与受力部相距最远的,能够使得整个结构刚性非常高,并形成第二级的防过载结构。 | ||
搜索关键词: | 基于 mems 质量 传感器 过载 结构 | ||
【主权项】:
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