[实用新型]基于MEMS芯体的质量传感器的防过载结构有效

专利信息
申请号: 202121593682.3 申请日: 2021-07-14
公开(公告)号: CN215064859U 公开(公告)日: 2021-12-07
发明(设计)人: 范茂军;黄富年;曹小军 申请(专利权)人: 深圳市信为科技发展有限公司
主分类号: G01G23/00 分类号: G01G23/00
代理公司: 深圳市深弘广联知识产权代理事务所(普通合伙) 44449 代理人: 易涵冰
地址: 518000 广东省深圳市龙*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 基于 mems 质量 传感器 过载 结构
【权利要求书】:

1.一种基于MEMS芯体的质量传感器的防过载结构,其特征在于,包括形变部、承载部和MEMS传感器,形变部和承载部扣合形成有密封腔,密封腔用于填充液体;MEMS传感器与密封腔连通并检测液体压力变化;其中,形变部远离承载部的表面部分向外凸出形成受力部,当受力部承载压力,形变部向承载部一侧靠近至抵持时,形变部停止变形。

2.根据权利要求1所述的基于MEMS芯体的质量传感器的防过载结构,其特征在于,形变部包括形变板、及包裹形变板侧壁的抵接边框;承载部包括与抵接边框紧密结合的承载边框,以及与形变板对应设置的承载板,承载板与形变板间隙设置以形成密封腔;MEMS传感器贯穿抵接边框和/或承载边框与密封腔连通;其中,受力部位于形变板的中心位置。

3.根据权利要求2所述的基于MEMS芯体的质量传感器的防过载结构,其特征在于,形变板与承载板为轴对称结构,受力部的中心轴与形变板的中心轴同轴。

4.根据权利要求3所述的基于MEMS芯体的质量传感器的防过载结构,其特征在于,形变板靠近承载板的表面部分向密封腔内突出形成凸台,凸台与承载板的间距小于形变板与承载板的间距。

5.根据权利要求2-4任一项所述的基于MEMS芯体的质量传感器的防过载结构,其特征在于,形变板远离承载板的上表面与抵接边框远离承载板的上端面不共面,且形变板和抵持边框形成沉槽结构,受力部位于沉槽的中心位置。

6.根据权利要求5所述的基于MEMS芯体的质量传感器的防过载结构,其特征在于,形变板的厚度自抵持边框向受力部逐渐减小/增大。

7.根据权利要求5所述的基于MEMS芯体的质量传感器的防过载结构,其特征在于,承载板的上表面向远离变形板的一侧凹陷,以与变形板形成密封腔。

8.根据权利要求5所述的基于MEMS芯体的质量传感器的防过载结构,其特征在于,形变板的下表面向远离承载板的一侧凹陷,以与承载板形成密封腔。

9.根据权利要求6-8任一项所述的基于MEMS芯体的质量传感器的防过载结构,其特征在于,受力部远离变形板一侧的表面为弧面。

10.根据权利要求2所述的基于MEMS芯体的质量传感器的防过载结构,其特征在于,形变板、抵持边框和受力部为一体成型结构;承载板和承载边框为一体成型结构。

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