[实用新型]一种半导体硅片表面蚀刻装置有效
| 申请号： | 202121553467.0 | 申请日： | 2021-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN215183877U | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 徐晶骥;董国斌;叶俊 | 申请（专利权）人： | 上海东煦电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200135 上海市浦东新区自*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体硅片表面蚀刻装置；包括平台板，平台板的顶部外壁焊接有支架，支架的顶端焊接有横梁，横梁的顶部外壁通过螺栓固定安装有电机，电机的输出轴传动连接有转杆，转杆的固定套接有搅拌叶，横梁的顶部外壁开设有滑槽，滑槽的内部滑动连接有滑块，滑块的底部外壁焊接有固定板，固定板的底部外壁通过螺栓固定安装有液压缸，液压缸的底端焊接有升降板，升降板的底部外壁焊接有两个竖板，两个竖板的侧壁均焊接有夹板，两个夹板的侧壁之间卡接有硅板本体。本实用新型采用转杆带动搅拌叶转动来搅拌蚀刻箱中的蚀刻液，让蚀刻液流动，使得反应更加充分，避免造成浪费，提高工作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 硅片 表面 蚀刻 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海东煦电子科技有限公司，未经上海东煦电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202121553467.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种市内道路维护用的沥青混合搅拌装置
- 下一篇：电钻高位打孔辅助装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
