[实用新型]一种防止镀液渗透造成劣化的MLCC结构有效
申请号: | 202121497324.2 | 申请日: | 2021-07-02 |
公开(公告)号: | CN215069657U | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | 翟世铭;钱华 | 申请(专利权)人: | 元六鸿远(苏州)电子科技有限公司 |
主分类号: | H01G4/12 | 分类号: | H01G4/12;H01G4/005;H01G4/012;H01G4/228;H01G4/232 |
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地址: | 215000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型涉及陶瓷电容技术领域,公开了一种防止镀液渗透造成劣化的MLCC结构,包括内电极、陶瓷介质、外电极、镍镀层以及锡镀层,所述陶瓷介质的内部等间距设置有若干个所述内电极,所述陶瓷介质的两端皆包裹有所述外电极,所述内电极的一端皆延伸至所述陶瓷介质的外部并与对应的所述外电极相互接触,所述外电极的外侧依次镀设有所述镍镀层、所述锡镀层。本实用新型通过在内电极靠近外电极的一端对称开设两个呈直角三角形的切口,使得内电极向外电极的连接位置处的宽度逐渐变小,侧向看内电极的宽度很小,且连接位置处集中在中央,从而确保连接位置处的外电极较厚,在电镀时可以防止镀液从外电极的薄弱位置处向内渗透。 | ||
搜索关键词: | 一种 防止 渗透 造成 mlcc 结构 | ||
【主权项】:
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