[实用新型]一种片上电阻有效
| 申请号： | 202121497140.6 | 申请日： | 2021-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN216015364U | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 应子罡;徐秀波;李广辉;吴宗桂;杨丽丽;张雄波 | 申请（专利权）人： | 北京国科天迅科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王毅 |
| 地址： | 100744 北京市大兴区北京经*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种片上电阻，涉及电阻技术领域，所述片上电阻包括具有第一宽度的多晶硅层；其中，所述第一宽度为0.18um，本实用新型通过创造性地将多晶硅电阻宽度尺寸由现有技术中的1um减小到有源管的最小栅宽尺寸0.18um，大大降低了片上电阻的面积。即利用了有源管的最小栅宽尺寸实现的更小宽度的多晶硅电阻，同片外方案相比，使得直流失调消除相应的电路减小了4个芯片管脚和两个片外电容，同片上方案相比，片上电阻面积至少减小到原来的1/3。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电阻 | ||
【主权项】：
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