[实用新型]一种片上电阻

权利要求书

1.一种片上电阻，其特征在于，所述片上电阻包括：

具有第一宽度的多晶硅层(1)，所述多晶硅层(1)具有宽度延伸方向，所述多晶硅层(1)在宽度方向上的尺寸为所述第一宽度；其中，所述第一宽度为0.18um。

2.根据权利要求1所述的片上电阻，其特征在于，所述多晶硅层(1)设置为条状，多晶硅层(1)具有长度延伸方向和宽度延伸方向，多晶硅层(1)在宽度方向上的尺寸为所述第一宽度。

3.根据权利要求2所述的片上电阻，其特征在于，所述多晶硅层(1)设置在具有第二宽度的衬底(2)上，所述衬底设置为条状，衬底为P型衬底且进行P型扩散，所述第二宽度覆盖所述第一宽度。

4.根据权利要求3所述的片上电阻，其特征在于，所述衬底(2)与所述多晶硅层(1)在宽度方向上的距离L1不小于0.18um。

5.根据权利要求4所述的片上电阻，其特征在于，所述距离L1为0.18um。

6.根据权利要求2所述的片上电阻，其特征在于，多晶硅层(1)在宽度方向上的两端设有接触孔(3)，多晶硅层(1)通过所述接触孔(3)与金属线层(4)连接，接触孔(3)设置为矩形状，接触孔(3)的长度和宽度均为0.22um。

7.根据权利要求6所述的片上电阻，其特征在于，所述接触孔(3)与所述多晶硅层(1)在宽度方向上的距离L2不小于0.04um，接触孔(3)与多晶硅层(1)在长度方向上的距离L3不小于0.04um。

8.根据权利要求3所述的片上电阻，其特征在于，所述多晶硅层(1)上设有pro层(5)、导电离子注入区(6)和电阻标识层(7)，所述pro层(5)、所述导电离子注入区(6)和所述电阻标识层(7)自靠近多晶硅层(1)向远离多晶硅层(1)依次设置，pro层(5)设置为条状且具有第三宽度，导电离子注入区(6)设置为条状且具有第四宽度，电阻标识层(7)设置为条状且具有第五宽度，所述第三宽度、所述第四宽度和所述第五宽度均覆盖所述第二宽度。

9.根据权利要求8所述的片上电阻，其特征在于，所述pro层(5)与所述衬底(2)在宽度方向上的距离L2不小于0.04um，所述导电离子注入区(6)与所述衬底(2)在宽度方向上的距离L3不小于0.04um，所述电阻标识层(7)与所述衬底(2)在宽度方向上的距离L4不小于0.04um。

10.根据权利要求9所述的片上电阻，其特征在于，所述距离L2为0.04um，所述距离L3为0.04um，所述距离L4为0.04um。