[实用新型]一种片上电阻

说明书

本实用新型提供一种片上电阻，涉及电阻技术领域，所述片上电阻包括具有第一宽度的多晶硅层；其中，所述第一宽度为0.18um，本实用新型通过创造性地将多晶硅电阻宽度尺寸由现有技术中的1um减小到有源管的最小栅宽尺寸0.18um，大大降低了片上电阻的面积。即利用了有源管的最小栅宽尺寸实现的更小宽度的多晶硅电阻，同片外方案相比，使得直流失调消除相应的电路减小了4个芯片管脚和两个片外电容，同片上方案相比，片上电阻面积至少减小到原来的1/3。

技术领域

本实用新型涉及电阻技术领域，尤其涉及一种片上电阻。

背景技术

在射频通信集成电路系统中，零中频接收机的构架以其成本低、集成度高的优点被广泛的应用，而所有的零中频接收机都会面临直流失调消除(DC Offset Cancellation，DCOC)的问题，DCOC需要对输入信号IN进行高通滤波得到输出信号OUT。

如图1所示，现有技术中，利用电阻-电容(Resistor-Capacitance circuit，RC)电路的时间常数决定滤波器的截至带宽f＝1/(2·pi·R·C)。为了减小对信号的影响，截至带宽甚至在KHz量级。以前选取大的电容，并放在片外实现，由于需要同相通道(in-phase)、正交(quadrature) 通道即IQ两路通道，因此至少增加4个芯片管脚和两个片外电容。为了在芯片上实现集成，片上电容只能选择pF级的，那么电阻也只能选择百兆欧姆级的。

以CMOS 0.18um工艺为例，其中高密度电阻的实现方式主要有三种：扩散电阻、多晶硅(polysilicon，poly)电阻和阱电阻，为了实现100兆欧姆的电阻，这三种电阻会占用的面积都会非常大：扩散电阻面积为2200um²、poly电阻面积为3800um²、阱电阻面积为4200um²。由于DCOC中的片上电阻和片上电容至少一个的数值会很大，这样不易于集成化，为了实现片上电阻和片上电容的集成化，可以采用的一种方案是选用电容值较小的电容和阻值较大的电阻，又因为电阻阻值＝电阻长度/电阻宽度，根据相应规则，扩散电阻最的小宽度为 0.42um，poly电阻的最小宽度为1um，阱电阻的最小宽度为2.1um。为了减小片上电阻面积以及得到更大阻值的片上电阻，因此需要要在现有技术上进一步减小片上电阻的宽度。

实用新型内容

本实用新型提供一种片上电阻，用以解决现有技术中片上电阻面积较大的缺陷，实现采用更小宽度的片上电阻，进而大大减小了电阻面积。

本实用新型提供一种片上电阻，所述片上电阻包括：

具有第一宽度的多晶硅层；其中，所述第一宽度为0.18um。

根据本发明提供的一种片上电阻，所述多晶硅层设置为条状，多晶硅层具有长度延伸方向和宽度延伸方向，多晶硅层在宽度方向上的尺寸为所述第一宽度。

根据本发明提供的一种片上电阻，所述多晶硅层设置在具有第二宽度的衬底上，所述衬底设置为条状，衬底为P型衬底且进行P型扩散，所述第二宽度覆盖所述第一宽度。

根据本发明提供的一种片上电阻，所述衬底与所述多晶硅层在宽度方向上的距离L1不小于0.18um。

根据本发明提供的一种片上电阻，所述距离L1为0.18um。

根据本发明提供的一种片上电阻，多晶硅层在宽度方向上的两端设有接触孔，多晶硅层通过所述接触孔与金属线层连接，接触孔设置为矩形状，接触孔的长度和宽度均为0.22um。

根据本发明提供的一种片上电阻，所述接触孔与所述多晶硅层在宽度方向上的距离L2不小于0.04um，接触孔与多晶硅层在长度方向上的距离L3不小于0.04um。