[实用新型]一种场效应管芯片的封装组件有效

专利信息
申请号: 202121417096.3 申请日: 2021-06-24
公开(公告)号: CN215680661U 公开(公告)日: 2022-01-28
发明(设计)人: 刘林志 申请(专利权)人: 深圳市天晶源电子科技有限公司
主分类号: H01L23/047 分类号: H01L23/047;H01L23/32;H01L23/367;H01L23/467;H01L29/772
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 广东省深圳市龙岗区南湾*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型涉及一种场效应管芯片的封装组件,包括绝缘外壳和封装机构,所述封装机构包括封装箱、限位罩和散热涂料,所述封装箱的左侧开设有第一通气孔,所述封装箱的左侧固定安装有安装箱,所述安装箱的右侧开设有第二通气孔,所述安装箱的左侧开设有第三通气孔,所述安装箱的内部固定安装有挡板。该场效应管芯片的封装组件,当使用在安装使用时,使用者可以将散热涂料涂抹在芯片本体的左侧,然后使用者可以通过螺栓将封装箱与安装板固定连接并通过螺栓将安装箱与封装箱固定连接,此间散热涂料可以直接与外界气体接触并加快了芯片本体的散热效率,从而使该结构具备方便增加芯片的散热效率的优点,方便了使用者使用。
搜索关键词: 一种 场效应 芯片 封装 组件
【主权项】:
暂无信息
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