[实用新型]一种半导体离子注入装置有效
| 申请号： | 202121263489.3 | 申请日： | 2021-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN215496620U | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 黎国伟;林艺;吴梅 | 申请（专利权）人： | 广州贝禾电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/02;H01J37/20;H01L21/67;H01L21/677;H01L21/687 |
| 代理公司： | 广州速正专利代理事务所(普通合伙) 44584 | 代理人： | 刘鹏宇 |
| 地址： | 510000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体离子注入装置，包括注入装置本体，所述注入装置本体包括气源室、离子源、分析组件、加速组件和靶室，所述气源室的内部安装有压板，所述气源室的底端通过管道与离子源相连通，所述离子源的底端连接有吸出组件和分析组件，所述分析组件的底端安装有加速组件，所述加速组件的后端与靶室的内部相连，所述靶室的内部安装有装夹板，该半导体离子注入装置掺杂气源的浓度始终相同，成品效果均匀，可以自动对半导体材料进行翻转，减少了加工流程。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 离子 注入 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州贝禾电子科技有限公司，未经广州贝禾电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202121263489.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
