[实用新型]一种半导体离子注入装置

说明书

本实用新型提供一种半导体离子注入装置，包括注入装置本体，所述注入装置本体包括气源室、离子源、分析组件、加速组件和靶室，所述气源室的内部安装有压板，所述气源室的底端通过管道与离子源相连通，所述离子源的底端连接有吸出组件和分析组件，所述分析组件的底端安装有加速组件，所述加速组件的后端与靶室的内部相连，所述靶室的内部安装有装夹板，该半导体离子注入装置掺杂气源的浓度始终相同，成品效果均匀，可以自动对半导体材料进行翻转，减少了加工流程。

技术领域

本实用新型涉及注入装置技术领域，具体为一种半导体离子注入装置。

背景技术

离子注入装置是高压小型加速器中的一种，应用数量最多。它是由离子源得到所需要的离子，经过加速得到几百千电子伏能量的离子束流，主要用做半导体材料、大规模集成电路和器件的离子注入。

现有的离子注入装置需要大量的掺杂气体作为原料，但是为了保证内部的完全真空，所以随着掺杂气体的注入，气体浓度会逐渐降低，因此初期的离子源浓度和后期的离子源浓度会有差异，从而可能导致最后的成品质量不同。

另一方面，对于一些半导体材料需要双面注入离子，所以需要人工取出后翻转再次放入，增加了人力物力和大量的操作时间。

实用新型内容

针对现有技术存在的不足，本实用新型目的是提供一种半导体离子注入装置，以解决上述背景技术中提出的问题,本实用新型掺杂气源的浓度始终相同，成品效果均匀，可以自动对半导体材料进行翻转，减少了加工流程。

为了实现上述目的，本实用新型是通过如下的技术方案来实现：一种半导体离子注入装置，包括注入装置本体，所述注入装置本体包括气源室、离子源、分析组件、加速组件和靶室，所述气源室的内部安装有压板，所述气源室的底端通过管道与离子源相连通，所述离子源的底端连接有吸出组件和分析组件，所述分析组件的底端安装有加速组件，所述加速组件的后端与靶室的内部相连，所述靶室的内部安装有装夹板。

作为本实用新型的一种优选实施方式，所述压板的底端填充有掺杂气源，所述压板的顶端将气体抽出保持真空状态，所述压板的侧边与气源室的内壁相贴合。

作为本实用新型的一种优选实施方式，所述分析组件整体呈一个90°的弧形结构，所述分析组件的内侧设置有分析磁体，所述离子射线从分析组件的中间穿过。

作为本实用新型的一种优选实施方式，所述装夹板底端穿插有螺纹杆和滑杆，所述螺纹杆的顶端安装有电机一，所述滑杆的两端分别固定安装在靶室两侧的内壁上。

作为本实用新型的一种优选实施方式，所述装夹板的顶端安装有电机二，所述电机二的底端连接有转动杆，所述转动杆的底端与齿形带相啮合，所述装夹板的中间开设有多个孔洞，所述孔洞的内部安装有半导体圆片，所述半导体圆片的两端设置有夹块，所述夹块的顶端安装有轴承，所述夹块的底端安装有齿轮，所述齿轮与齿形带相啮合，所述半导体圆片通过轴承和齿轮相配合转动，所述半导体圆片的中心点与加速组件的中心点处于同一水平轴线上。

作为本实用新型的一种优选实施方式，所述气源室的充气口开设在与管道入口处的同一直线上，所述靶室的内部设置为真空状态。

本实用新型的有益效果：本实用新型的一种半导体离子注入装置，包括注入装置本体，所述注入装置本体包括气源室、管道、吸出组件、离子源、电机二、分析组件、加速组件、靶室、电机一、装夹板、滑杆、孔洞、转动杆、夹块、半导体圆片、轴承、螺纹杆、齿轮、齿形带、压板、掺杂气源。

1.该半导体离子注入装置通过压板将底端充入的掺杂气源的浓度始终相同，随着掺杂气源的容量降低，由于压板顶部为真空状态，只有底端位置带有气压，所以压板也会随之下降，成品效果均匀。

2.该半导体离子注入装置掺杂气源容易观察，从外部的观察窗口即可判断内部掺杂气源的浓度与余量，从而能够及时进行补充。