[实用新型]一种半导体离子注入装置有效
| 申请号： | 202121263489.3 | 申请日： | 2021-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN215496620U | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 黎国伟;林艺;吴梅 | 申请（专利权）人： | 广州贝禾电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/02;H01J37/20;H01L21/67;H01L21/677;H01L21/687 |
| 代理公司： | 广州速正专利代理事务所(普通合伙) 44584 | 代理人： | 刘鹏宇 |
| 地址： | 510000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 离子 注入 装置 | ||
1.一种半导体离子注入装置，包括注入装置本体，其特征在于：所述注入装置本体包括气源室、离子源、分析组件、加速组件和靶室，所述气源室的内部安装有压板，所述气源室的底端通过管道与离子源相连通，所述离子源的底端连接有吸出组件和分析组件，所述分析组件的底端安装有加速组件，所述加速组件的后端与靶室的内部相连，所述靶室的内部安装有装夹板。
2.根据权利要求1所述的一种半导体离子注入装置，其特征在于：所述压板的底端填充有掺杂气源，所述压板的顶端将气体抽出保持真空状态，所述压板的侧边与气源室的内壁相贴合。
3.根据权利要求1所述的一种半导体离子注入装置，其特征在于：所述分析组件整体呈一个90°的弧形结构，所述分析组件的内侧设置有分析磁体，所述离子源的离子射线从分析组件的中间穿过。
4.根据权利要求1所述的一种半导体离子注入装置，其特征在于：所述装夹板底端穿插有螺纹杆和滑杆，所述螺纹杆的顶端安装有电机一，所述滑杆的两端分别固定安装在靶室两侧的内壁上。
5.根据权利要求1所述的一种半导体离子注入装置，其特征在于：所述装夹板的顶端安装有电机二，所述电机二的底端连接有转动杆，所述转动杆的底端与齿形带相啮合，所述装夹板的中间开设有多个孔洞，所述孔洞的内部安装有半导体圆片，所述半导体圆片的两端设置有夹块，所述夹块的顶端安装有轴承，所述夹块的底端安装有齿轮，所述齿轮与齿形带相啮合，所述半导体圆片通过轴承和齿轮相配合转动，所述半导体圆片的中心点与加速组件的中心点处于同一水平轴线上。
6.根据权利要求1所述的一种半导体离子注入装置，其特征在于：所述气源室的充气口开设在与管道入口处的同一直线上，所述靶室的内部设置为真空状态。
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