[实用新型]一种肖特基二极管结构有效
| 申请号： | 202121196959.9 | 申请日： | 2021-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN215069996U | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 淄博绿能芯创电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L23/31;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海段和段律师事务所 31334 | 代理人： | 李佳俊;郭国中 |
| 地址： | 255025 山东省淄博市高新区中*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种肖特基二极管结构，包括第一金属镀层、第二金属镀层、保护层、及衬底片；所述第一金属镀层设置在所述第二金属镀层下，所述第一金属镀层的面积大于所述第二金属镀层的面积，所述第二金属镀层与所述第一金属镀层的边缘位置不接触；所述第一金属镀层设置在所述衬底片上，所述保护层覆盖在所述第一金属镀层的边缘位置处。本实用新型解决了在制备银表面高可靠性肖特基二极管时,由于保护层与第二金属镀层间粘合力不足，保护层会发生脱落的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 二极管 结构 | ||
【主权项】：
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