[实用新型]一种肖特基二极管结构有效
申请号: | 202121196959.9 | 申请日: | 2021-05-31 |
公开(公告)号: | CN215069996U | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 淄博绿能芯创电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L29/872 | 分类号: | H01L29/872;H01L23/31;H01L21/329 |
代理公司: | 上海段和段律师事务所 31334 | 代理人: | 李佳俊;郭国中 |
地址: | 255025 山东省淄博市高新区中*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 肖特基 二极管 结构 | ||
1.一种肖特基二极管结构,其特征在于,包括第一金属镀层(1)、第二金属镀层(2)、保护层(3)、及衬底片(4);
所述第一金属镀层(1)设置在所述第二金属镀层(2)下,所述第一金属镀层(1)的面积大于所述第二金属镀层(2)的面积,所述第二金属镀层(2)与所述第一金属镀层(1)的边缘位置不接触;
所述第一金属镀层(1)设置在所述衬底片(4)上,所述保护层(3)覆盖在所述第一金属镀层(1)的边缘位置处。
2.根据权利要求1所述的肖特基二极管结构,其特征在于,所述第一金属镀层(1)的为铝金属镀层。
3.根据权利要求2所述的肖特基二极管结构,其特征在于,所述第一金属镀层(1)的厚度为2.0um±0.5um。
4.根据权利要求1所述的肖特基二极管结构,其特征在于,所述第二金属镀层(2)包括自上而下依次设置的银金属镀层(201)、镍金属镀层(202)和钛金属镀层(203);
所述钛金属镀层(203)设置在所述第一金属镀层(1)上。
5.根据权利要求4所述的肖特基二极管结构,其特征在于,所述银金属镀层(201)的厚度为2.5um±0.5um,所述镍金属镀层(202)的厚度为0.2um±0.1um,所述钛金属镀层(203)的厚度为0.2um±0.1um。
6.根据权利要求1所述的肖特基二极管结构,其特征在于,所述保护层(3)为氮化硅镀层。
7.根据权利要求6所述的肖特基二极管结构,其特征在于,所述保护层(3)的厚度为0.6um±0.1um。
8.根据权利要求1所述的肖特基二极管结构,其特征在于,所述第二金属镀层(2)采用光刻与刻蚀技术设置所述第一金属镀层(1)上。
9.根据权利要求1所述的肖特基二极管结构,其特征在于,所述保护层(3)采用光刻与刻蚀技术覆盖设置在所述第一金属镀层(1)的边缘位置处。
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