[实用新型]一种用于MOS双极芯片的耐高压测试装置有效
| 申请号： | 202121187325.7 | 申请日： | 2021-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN215375503U | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 潘锋 | 申请（专利权）人： | 河南省申福电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R1/04 | 分类号： | G01R1/04;G01R31/28;G01R31/12 |
| 代理公司： | 郑州博鳌纵横知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 41165 | 代理人： | 屈慧丽 |
| 地址： | 475000 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种用于MOS双极芯片的耐高压测试装置，包括底座、垫块、支撑柱、支撑板、缓冲按压装置、承托台、高压检测机构、检测探头、支柱和放置板。本实用新型属于芯片耐压检测技术领域，具体是指一种能够对MOS双极芯片进行下压，从而使得MOS双极芯片与检测探头进一步的接触，从而提高测试效率和测试的准确度，同时在下压MOS双极芯片的同时可以很好的控制力度，避免力度过大对MOS双极芯片造成伤害的用于MOS双极芯片的耐高压测试装置。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 mos 芯片 高压 测试 装置 | ||
【主权项】：
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