[实用新型]一种基于MOCVD设备的金属有机源输送管道系统有效
申请号: | 202120852390.0 | 申请日: | 2021-04-23 |
公开(公告)号: | CN215050677U | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | 邬元杰;时浩泽;李东昇;操晓敏;芦佳;张燕平 | 申请(专利权)人: | 杭州士兰明芯科技有限公司;厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 |
主分类号: | C23C16/18 | 分类号: | C23C16/18;C23C16/448;C23C16/455 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 孙建康 |
地址: | 310018 浙江省杭州市经济*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种基于MOCVD设备的金属有机源输送管道系统,包括与MOCVD设备上配备的多个金属有机源存储装置一一对应布置的输送管道,每个输送管道分别用于将其对应的一个金属有机源存储装置的出口单独连接至MOCVD设备的反应室,且每个输送管道上均设置有第一开闭阀门。在实际应用过程中,由于各个输送管道与反应室单独连接,继而各个输送管道在每次使用时仅流经携带有同一种金属有机源的载气,相比于传统的金属有机源存储装置共用传输管道的方式,避免了输送管道内残留上次使用的载气所携带的金属有机源导致管道交叉污染的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 mocvd 设备 金属 有机 输送 管道 系统 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的