[实用新型]一种基于MOCVD设备的金属有机源输送管道系统有效
申请号: | 202120852390.0 | 申请日: | 2021-04-23 |
公开(公告)号: | CN215050677U | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | 邬元杰;时浩泽;李东昇;操晓敏;芦佳;张燕平 | 申请(专利权)人: | 杭州士兰明芯科技有限公司;厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 |
主分类号: | C23C16/18 | 分类号: | C23C16/18;C23C16/448;C23C16/455 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 孙建康 |
地址: | 310018 浙江省杭州市经济*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 mocvd 设备 金属 有机 输送 管道 系统 | ||
1.一种基于MOCVD设备的金属有机源输送管道系统,其特征在于,包括与MOCVD设备上配备的多个金属有机源存储装置一一对应布置的输送管道,每个所述输送管道分别将其对应的一个所述金属有机源存储装置的出口单独连接至所述MOCVD设备的反应室,且每个所述输送管道上均设置有第一开闭阀门。
2.如权利要求1所述的基于MOCVD设备的金属有机源输送管道系统,其特征在于,至少一个所述输送管道上配备有压力控制器,且所述压力控制器位于所述输送管道上第一开闭阀门的上游。
3.如权利要求2所述的基于MOCVD设备的金属有机源输送管道系统,其特征在于,还包括与所述金属有机源存储装置一一对应布置的载气引入管道,每个所述载气引入管道将载气源分别连接至其对应的一个所述金属有机源存储装置的进口。
4.如权利要求3所述的基于MOCVD设备的金属有机源输送管道系统,其特征在于,每个所述载气引入管道上均设置有第一流量控制器。
5.如权利要求3所述的基于MOCVD设备的金属有机源输送管道系统,其特征在于,至少一个所述金属有机源存储装置配备有助推机构。
6.如权利要求4所述的基于MOCVD设备的金属有机源输送管道系统,其特征在于,所述助推机构包括助推管道和设置在所述助推管道上的第二流量控制器;所述助推管道设置于配备有所述助推机构的金属有机源存储装置所连接的载气引入管道和其所连接的输送管道之间,且所述助推管道与该载气引入管道的连接节点位于该载气引入管道上第一流量控制器的上游,所述助推管道与该输送管道的连接节点位于该输送管道上设置的第一开闭阀门的上游。
7.如权利要求5所述的基于MOCVD设备的金属有机源输送管道系统,其特征在于,至少一个所述输送管道上连接有第一排气管道,所述压力控制器设置于所述第一排气管道上;所述输送管道上还设置有位于所述第一排气管道的进口与所述输送管道上第一开闭阀门之间的第三流量控制器。
8.如权利要求3所述的基于MOCVD设备的金属有机源输送管道系统,其特征在于,所述载气源内装载的载气为氢气或氮气。
9.如权利要求3所述的基于MOCVD设备的金属有机源输送管道系统,其特征在于,全部所述载气引入管道的进气端集成一个总管道并与所述载气源连接。
10.如权利要求3-7中任一项所述的基于MOCVD设备的金属有机源输送管道系统,其特征在于,还包括短接管道,所述短接管道连接于所述载气引入管道和所述输送管道之间,且所述短接管道上设置有短接阀门。
11.如权利要求3-7中任一项所述的基于MOCVD设备的金属有机源输送管道系统,其特征在于,还包括第二排气管道,所述第二排气管道包括与所述输送管道一一对应的管端进口,所述管端进口连接于所述输送管道上第一开闭阀门的上游位置,且各个所述管端进口均配备有第二开闭阀门。
12.如权利要求1-7中任一项所述的基于MOCVD设备的金属有机源输送管道系统,其特征在于,任意两个所述金属有机源存储装置所装载的金属有机源不同。
13.如权利要求12所述的基于MOCVD设备的金属有机源输送管道系统,其特征在于,所述金属有机源为三甲基镓、三乙基镓、三甲基铟、三甲基铝或二茂镁。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的