[实用新型]一种基于MOCVD设备的金属有机源输送管道系统

说明书

本实用新型公开了一种基于MOCVD设备的金属有机源输送管道系统，包括与MOCVD设备上配备的多个金属有机源存储装置一一对应布置的输送管道，每个输送管道分别用于将其对应的一个金属有机源存储装置的出口单独连接至MOCVD设备的反应室，且每个输送管道上均设置有第一开闭阀门。在实际应用过程中，由于各个输送管道与反应室单独连接，继而各个输送管道在每次使用时仅流经携带有同一种金属有机源的载气，相比于传统的金属有机源存储装置共用传输管道的方式，避免了输送管道内残留上次使用的载气所携带的金属有机源导致管道交叉污染的问题。

技术领域

本实用新型涉及金属有机气相沉积技术领域，尤其涉及一种基于MOCVD设备的金属有机源输送管道系统。

背景技术

MOCVD(Metal-organic Chemical Vapor Deposition)-金属有机气相沉积法，是基于气相外延生长法(VPE)发展起来的一种以金属有机化合物为生长源的新型气相外延技术。

MOCVD主要依赖于载气(比如H₂/N₂)通过鼓泡器与液态的III族元素烷烃和气态的V族元素氢化物进行混合，输送到反应腔内，在高温的衬底上裂解成III族元素、V族元素，而后在衬底表面进行气相外延，形成III-V化合物单晶薄膜材料。

目前，基于MOCVD的金属有机源输送管道系统，包括若干MO源(金属有机源)存储装置，每个金属有机源存储装置均设有进口和出口，载气从各个金属有机源存储装置的进口进入，并由各个金属有机源存储装置的出口进入公共传输管道，最后通过该公共传输管道进入MOCVD反应腔内。

由于LED(发光二极管)外延材料中的缺陷和杂质对于材料的电学输运特性和发光性能有着重要的影响，所以要严格控制LED外延材料中的缺陷和杂质。然而上述金属有机源输送管道系统中，管道内会残留非生长层所需的MO材料，存在交叉污染，带来外延材料不必要的缺陷和杂质，并降低外延材料晶体质量，导致LED漏电较大及发光效率低等问题。

综上所述，如何解决基于MOCVD的金属有机源输送管道系统在有机源输送管道中存在的交叉污染的问题已经成为本领域技术人员亟需解决的技术难题。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种基于MOCVD设备的金属有机源输送管道系统，以解决基于MOCVD的金属有机源输送管道系统在金属有机源输送管道中存在的交叉污染的问题。

为了实现上述目的，本实用新型提供了一种基于MOCVD设备的金属有机源输送管道系统，包括与MOCVD设备上配备的多个金属有机源存储装置一一对应布置的输送管道，每个所述输送管道分别将其对应的一个所述金属有机源存储装置的出口单独连接至所述MOCVD设备的反应室，且每个所述输送管道上均设置有第一开闭阀门。

优选地，至少一个所述输送管道上配备有压力控制器，且所述压力控制器位于所述输送管道上第一开闭阀门的上游。

优选地，还包括与所述金属有机源存储装置一一对应布置的载气引入管道，每个所述载气引入管道将载气源分别连接至其对应的一个所述金属有机源存储装置的进口。

优选地，每个所述载气引入管道上均设置有第一流量控制器。

优选地，至少一个所述金属有机源存储装置配备有助推机构。

优选地，所述助推机构包括助推管道和设置在所述助推管道上的第二流量控制器；所述助推管道设置于配备有所述助推机构的金属有机源存储装置所连接的载气引入管道和其所连接的输送管道之间，且所述助推管道与该载气引入管道的连接节点位于该载气引入管道上第一流量控制器的上游，所述助推管道与该输送管道的连接节点位于该输送管道上设置的第一开闭阀门的上游。